1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和InN/AlN超晶格势垒层，所述InN/AlN超晶格势垒层的周期数为3~5。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述InN/AlN超晶格势垒层厚度为8~20nm。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述InN层厚度为0.5~1nm，AlN层厚度为2~4nm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述衬底为SiC半绝缘衬底，厚度为350-520μm。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为20-100nm。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述GaN缓冲层厚度为1.6-1.8μm。
7.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为50-100nm。
8.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlN插入层厚度为0.5-1nm。