技术总结
本实用新型提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和InN/AlN超晶格势垒层，所述InN/AlN超晶格势垒层包括多个垂直生长的势垒单元，每个势垒单元包括InN层和生长于InN层上的AlN层。本实用新型采用InN/AlN超晶格势垒层，可以达到势垒层与GaN缓冲层的晶格完全匹配，消除压电效应，改善器件可靠性；并且具备更强的自发极化效应，可以产生高密度二维电子气，器件电流密度将会高于采用AlGaN势垒的器件；低厚度的InN/AlN超晶格势垒也可产生较高密度的二维电子气，非常适合GaN的毫米波器件应用。
技术研发人员：孔欣
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
文档号码：201621416681
技术研发日：2016.12.22
技术公布日：2017.06.13