技术总结
在电路部中设置有在深度方向上贯穿衬底正面侧的p‑型基区(21)且包围MOSFET(20)周围的p+型扩散区(24)。在与电路部相同基板上的保护元件部中，在衬底正面侧的p‑型扩散区(31)的内部选择性地设置有p++型接触区(32)、n+型扩散区(33)和p+型扩散区(34)。p+型扩散区(34)在p‑型扩散区(31)的外周且在深度方向上贯穿p‑型扩散区(31)。n+型源区(22)、p+型扩散区(24)、p++型接触区(32)和n+型扩散区(33)连接到GND端子。基板背面连接到VCC端子。保护元件部的寄生双极型元件(T1)的回跳开始电压(snap‑back starting voltage)比电路部的寄生双极型元件(T2)的回跳开始电压低。据此，能够实现微型化、浪涌电阻的提高和成本的控制。
技术研发人员：丰田善昭;片仓英明
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
文档号码：201680002320
技术研发日：2016.03.15
技术公布日：2017.05.31