技术总结
本发明提供一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法，所述碳纳米管束场效应晶体管阵列包括：源极材料层、漏极材料层以及连接于所述源极材料层与漏极材料层之间的碳纳米管束阵列；所述碳纳米管束阵列包括若干分立设置的碳纳米管束单元，其中，所述碳纳米管束单元的轴向第一端与所述源极材料层连接，所述碳纳米管束单元的轴向第二端与所述漏极材料层连接；所述碳纳米管束单元被栅极结构所包围。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列能够耐受更高的操作电压及操作电流，能够应用于大功率器件。并且本发明采用环栅结构，可以提高栅极对沟道的操控能力。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列的制造方法具有工艺步骤简单的特点，有利于降低生产成本。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2018.07.10