技术总结
本发明公开了一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上生长一层二氧化硅层；然后在二氧化硅层上自组装形成单层紧密排列的聚合物微球阵列；接着对聚合物微球进行干法刻蚀以减小微球的直径，形成非紧密规则排列的聚合物微球阵列；然后以上述非紧密规则排列的聚合物微球阵列为掩模，对二氧化硅层进行刻蚀得到规则排列的二氧化硅纳米柱；最后以二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀，得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底。本发明的方法简单易行、重复性好、成品率高、生产成本低，适用于各种尺寸的图形化蓝宝石衬底的制备，适用于企业大规模生产。本发明还公开了所述纳米级图形化蓝宝石衬底在GaN基LED中的应用。
技术研发人员：翁国恩;陈少强;胡小波
受保护的技术使用者：华东师范大学
文档号码：201710024540
技术研发日：2017.01.11
技术公布日：2017.05.31