技术总结
本发明涉及一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一具有电极的基板，所述电极由金属材料构成；（2）将所述基板置于碳源的环境下，利用激光照射所述电极的表面，被照射处原位生长出石墨烯膜层。本发明一方面降低了金属电极被氧化的风险，另一方面利用激光辐照的方法产生的局域高温仅处于诱导出石墨烯生长的电极表面，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构；配合光束的扫描运动，还可实现快速而精细的图形化结构；另外，石墨烯良好的导电性能也将有助于提升整个器件的性能。
技术研发人员：陈耿旭;郭太良;陈惠鹏;胡海龙;叶芸
受保护的技术使用者：福州大学
文档号码：201710045367
技术研发日：2017.01.22
技术公布日：2017.05.10