纳米多孔材料及其制备方法与流程

技术总结
本发明涉及纳米多孔材料及其制备方法。该多孔材料含有M单质，M为Si和/或Ge；该多孔材料的粒度为20～150nm，孔隙率为0.2～0.8，比表面积为15～300m2/g。该多孔材料作为电极材料具有较好的性能。

技术研发人员：朱嘉;宗麟奇;刘畅
受保护的技术使用者：南京大学
文档号码：201710056842
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2017.05.17