1.一种增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
依次形成于衬底之上的成核层、高阻缓冲层及势垒层；
形成于势垒层一端之上的源极；
形成于势垒层另一端之上的漏极；
形成于源极、漏极之间的单条沟槽或多条沟槽，且沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电介质材料；
形成于沟槽上方的栅极；以及
形成于源极、漏极和栅极之间的钝化层。
2.根据权利要求1所述的增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，
所述高介电常数、宽带隙的电介质材料，包括：MnO2、Pb3MgNb2O9、BaTiO3、SrTiO3、SnTe、PbTe、WO3、SbS、Pb2CoWO6、TiO2或SnSb中的一种或几种；
所述高介电常数、宽带隙的电介质材料，采用磁控溅射、离子束蒸镀、化学气相沉淀、溶胶凝胶法或水热法制备而成。
3.根据权利要求1所述的增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽的深度大于势垒层的厚度，所述电介质材料厚度小于或者等于所述沟槽的深度。
4.根据权利要求1所述的增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，
所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅中的一种；
所述成核层为氮化镓GaN或氮化铝AlN；
所述高阻缓冲层为铟镓氮InxGa1-xN，其中0≤x＜1；
所述势垒层为铝铟镓氮AlxInyGa1-x-yN，其中0＜x≤1，0≤y＜1。
5.根据权利要求1所述的增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，
所述单条沟槽或多条沟槽的宽度之和不超过其上栅极的宽度；
所述单条沟槽或多条沟槽采用ICP干法刻蚀或者湿法腐蚀制备而成。
6.根据权利要求1所述的增强型氮化物场效应晶体管，其特征在于，
所述源极和漏极采用Ti、Al、Ni、Pt、Cr或Au金属中的一种或几种；
所述栅极采用Ti、Ni、Pt、Al、Cu、W、Co或Au金属中的一种或几种；
所述钝化层采用Al2O3、SiNx、SiO2或Ga2O3。
7.一种增强型氮化物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上依次生长成核层、高阻缓冲层及势垒层；
在势垒层一端之上制备源极，另一端之上制备漏极；
对源极、漏极之间的势垒层进行刻蚀形成单条沟槽或多条沟槽，在沟槽内填充高介电常数、宽带隙的电介质材料；
在沟槽上方制备栅极；以及
源极、漏极和栅极之间生长钝化层。
8.根据权利要求7所述的增强型氮化物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，
所述在沟槽内填充的高介电常数、宽带隙的电介质材料包括MnO2、Pb3MgNb2O9、BaTiO3、SrTiO3、SnTe、PbTe、WO3、SbS、Pb2CoWO6、TiO2或SnSb中的一种或几种；
所述高介电常数、宽带隙的电介质材料采用磁控溅射、离子束蒸镀、化学气相沉淀、溶胶凝胶法或水热法制备而成。
9.根据权利要求7所述的增强型氮化物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于势垒层的厚度，所述电介质材料厚度小于或者等于所述沟槽的深度。
10.根据权利要求7所述的增强型氮化物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，
所述单条沟槽或多条沟槽的宽度之和不超过其上栅极的宽度；
所述单条沟槽或多条沟槽采用ICP干法刻蚀或者湿法腐蚀制备而成。