技术特征：
技术总结
提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
技术研发人员：江欣哲;曾主元;梁春昇;王淑慧;潘国华
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.03.15
技术公布日：2018.05.25