包括密封剂的显示装置的制作方法

本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括密封剂的显示装置。

背景技术：

显示装置广泛用于可视地显示数据。目前存在许多类型的显示装置，其中一些显示装置包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、有机发光二极管装置(oled装置)、场效应显示器(fed)和电泳显示装置等。

oled装置通常包括两个电极和置于这两个电极之间的有机发射层。在oled装置中，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中复合以产生激子。当激子的电子弛豫时，发射光子。

由于oled装置具有自发光特性并且不需要单独的光源，因此可以减小oled装置的厚度和重量。另外，由于oled装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的特性，因此oled装置被认为是高级的显示装置。

在oled装置中，显示面板包括被设置在显示面板的外围区域中的密封剂围绕的多个有机发光元件，以防止水分、氧或其它污染物渗透到有机发光元件中。此外，密封基底设置在密封剂上方以覆盖密封剂，从而密封显示面板。

然而，当在设置在显示面板的外围区域中的密封剂与设置在密封剂下方的绝缘层之间发生除气时，因为oled装置的密封性质不会允许除气的消散，所以会使密封剂从绝缘层上抬。

技术实现要素：

根据本发明构思的示例性实施例，一种显示装置包括第一基底，第一基底包括显示图像的显示区域和围绕显示区域的不显示图像的外围区域。显示装置还包括设置在显示区域中的多个像素。显示装置另外包括在外围区域中设置在第一基底上方的第一金属层，第一金属层包括多个开口。显示装置还包括设置在第一金属层上方并围绕所述多个像素的密封剂。显示装置另外包括多个第二金属层，所述多个第二金属层在外围区域中设置在第一基底上方并在第一金属层下方，并且分别与第一金属层的开口叠置。密封剂的一部分设置在多个开口中。

在本发明构思的示例性实施例中，第二金属层的总面积比所述多个开口的总面积小。

在本发明构思的示例性实施例中，第二金属层包括各自彼此平行设置的多个支撑部分。第二金属层还包括设置在所述多个支撑部分之中的彼此相邻的一对支撑部分之间的并且将一对支撑部分彼此连接的多个连接部分。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多个支撑部分中的每个具有多边形平面形状。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多个支撑部分中的每个的总表面积大于所述多个连接部分中的每个的总表面积。

在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括设置在第一基底的外围区域中并覆盖第二金属层的第一绝缘层。显示装置还包括：第二绝缘层，设置在第一绝缘层与处于第一基底的外围区域中的密封剂之间，并覆盖设置在第一绝缘层上的第一金属层。

在本发明构思的示例性实施例中，第一绝缘层和第二绝缘层各自包括穿透第一绝缘层和第二绝缘层的多个通孔。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多个通孔穿过第一金属层的开口。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多个通孔与第二金属层叠置。

在本发明构思的示例性实施例中，密封剂延伸穿过所述多个通孔并接触第二金属层。

在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括：多条第一栅极布线，设置在第一基底的显示区域上方，均在第一方向上延伸，并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此平行地布置。显示装置另外包括：多条第二栅极布线，均在第一方向上延伸，并且分别设置在所述多条第一栅极布线中的彼此相邻的一对第一栅极布线之间。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多条第一栅极布线和所述多条第二栅极布线设置在不同的层中。

在本发明构思的示例性实施例中，第一金属层与所述多条第一栅极布线设置在同一层上，第二金属层与第二栅极布线设置在同一层上。

在本发明构思的示例性实施例中，第一金属层与所述多条第二栅极布线设置在同一层上，第二金属层与所述多条第一栅极布线设置在同一层上。

在本发明构思的示例性实施例中，所述多个像素中的一个像素包括有机发光元件。

在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括：第二基底，设置在第一基底上方，并且与密封剂和第一基底一起包围所述多个像素。

在本发明构思的示例性实施例中，密封剂包括设置在第一金属层上方的上密封剂以及从上密封剂延伸并设置在所述多个开口中的下密封剂。

根据本发明构思的示例性实施例，一种显示装置包括被分为第一区域和围绕第一区域的第二区域的基底。显示装置还包括设置在第一区域中的多个像素和在第二区域中设置在第一基底上方的底部金属层。显示装置还包括设置在底部金属层上的第一绝缘层和设置在绝缘层上并包括开口的顶部金属层。底部金属层与开口叠置。显示装置另外包括设置在顶部金属层上方的密封剂。密封剂的一部分通过开口延伸到底部金属层。

在本发明构思的示例性实施例中，顶部金属层包括设置在底部金属层上方的多个开口。底部金属层包括彼此分开的多个部分。每个部分与所述多个开口中的一个开口叠置。

在本发明构思的示例性实施例中，底部金属层的所述多个部分包括彼此平行设置的多个支撑部分。底部金属层的所述多个部分还包括：多个连接部分，设置在所述多个支撑部分之中的彼此相邻的一对支撑部分之间并将所述一对支撑部分彼此连接。

在本发明构思的示例性实施例中，显示装置还包括设置在第一绝缘层上并且覆盖顶部金属层的第二绝缘层。显示装置还包括从密封剂延伸并在底部金属层的上表面处停止的多个通孔。密封剂延伸通过所述多个通孔并接触底部金属层。

附图说明

通过参照附图对本发明构思的示例性实施例进行详细描述，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的俯视图；

图2是沿着线ii-ii截取的图1的剖视图；

图3示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的显示区域中的像素和布线构造；

图4是沿着线iv-iv截取的图3的剖视图；

图5是根据本发明构思的示例性实施例的形成图3的单个像素的有机发光元件的剖视图；

图6是图1的区域a的放大图；

图7是沿着线vii-vii截取的图6的剖视图；

图8是图6的区域b中的第二金属层的俯视图；

图9是图6的第一金属层的俯视图；

图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中设置有密封剂的区域的放大图；

图11是沿着线xi-xi截取的图10的剖视图；

图12至图14顺序地示出了根据示例的用于在显示装置中形成设置有密封剂的区域的工艺。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一个元件“上”时，该元件可以直接在另一个元件上或者也可以存在中间元件。在下文中，将参照图1至图9描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置。

图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的俯视图，图2是沿着线ii-ii截取的图1的剖视图。

参照图1和图2，根据本发明构思的示例性实施例的显示装置被分为显示区域da和外围区域pa。

显示区域da是显示装置上的显示图像的区域。显示区域da可以包括第一基底100和可以设置在显示区域da中的多个像素px。多个像素px可以发光以在显示区域da中显示图像。多个像素px可以被描述为有机发光元件，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，多个像素px可以设置为液晶显示元件或电泳显示元件等。稍后将描述本发明构思的示例性实施例的包括像素px的显示区域da的详细构造。

此外，外围区域pa是显示装置上的围绕显示区域da的区域。另外，栅极驱动器、发光控制驱动器或数据驱动器等可以设置在外围区域pa中。

另外，密封剂sl可以设置在外围区域pa中，同时围绕多个像素px。如图2中所示，密封剂sl可以设置在彼此平行的第一基底100与第二基底600之间。

密封剂sl可以将第一基底100和第二基底600彼此结合。因此，密封剂sl可以在第一基底100与第二基底600之间密封显示区域da中的多个像素px。例如，第一基底100和第二基底600可以覆盖多个像素px的底表面和顶表面。结果，可以防止外部的氧和水分通过显示装置的侧面方向的渗透。这里，侧面方向是与第一基底100或第二基底600的延伸方向平行的方向，并且包括图2的从右到左的方向和从左到右的方向。例如，侧面方向是相对于图2的水平方向。

密封剂sl可以包括玻璃料。此外，密封剂sl可以包括光硬化材料。被包括在密封剂sl中的光硬化材料可以包括例如环氧丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯树脂、聚丁二烯丙烯酸酯树脂或硅丙烯酸酯树脂等。

在这种情况下，当通过紫外(uv)线、激光束或可见光线等照射密封剂sl时，密封剂sl被硬化，使得密封剂sl和第二基底600彼此结合。稍后将描述本发明构思的示例性实施例的密封剂sl的分层结构。

通过密封剂sl结合到第一基底100的第二基底600可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，第二基底600可以包括刚性玻璃基底或石英基底等。此外，第二基底600可以包括柔性透明树脂基底。

图3示意性地示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的显示区域的像素和布线构造，图4是沿着线iv-iv截取的图3的剖视图。

在下文中，将参照图3和图4详细地描述设置在第一基底100上的显示区域da。

根据本发明构思的示例性实施例，显示区域da可以包括第一栅极布线gw1、第二栅极布线gw2、数据布线dw和多个像素px。

栅极驱动器210将与从外部控制电路提供的控制信号对应的扫描信号顺序地提供给包括在第一栅极布线gw1或第二栅极布线gw2中的第一(例如，偶数)扫描线sc2至sc2n或第二(例如，奇数)扫描线sc1至sc2n-1。例如，外部控制电路可以包括时序控制器等。随后，通过扫描信号顺序地选择多个像素px，然后所选择的像素px接收数据信号。这里，图3中示出的栅极驱动器210设置在驱动芯片中，该驱动芯片设置在第一基底100的一端上设置的柔性膜上。

第一栅极布线gw1设置在栅极绝缘层127上。栅极绝缘层127设置在基底缓冲层126上，基底缓冲层126设置在第一基底100上。另外，第一栅极布线gw1在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。第一栅极布线gw1可以包括第二扫描线sc2n-1和发光控制线e1至en。

第二扫描线sc2n-1可以连接到栅极驱动器210，并可以从栅极驱动器210接收扫描信号。发光控制线en可以与发光控制驱动器220连接，并可以从发光控制驱动器220接收发光控制信号。这里，与栅极驱动器210一样，图3中示出的发光控制驱动器220设置在驱动芯片上，该驱动芯片设置在柔性膜上。

第二栅极布线gw2设置在第一栅极布线gw1上方，第一绝缘层gi2置于第二栅极布线gw2与第一栅极布线gw1之间。另外，第二栅极布线gw2在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。第二栅极布线gw2可以包括第一扫描线sc2n和初始化电源线vinit。

在本发明构思的示例性实施例中，第一栅极布线gw1和第二栅极布线gw2彼此不叠置。

第一扫描线sc2n可以连接到栅极驱动器210，并可以从栅极驱动器210接收扫描信号。初始化电源线vinit可以连接到栅极驱动器210，并可以从栅极驱动器210接收初始化电源。

在本发明构思的示例性实施例中，初始化电源线vinit可以从栅极驱动器210接收初始化电源，但是初始化电源线vinit可以与附加元件连接，并可以从附加元件接收初始化电源。

发光控制驱动器220可以对应于从外部源提供的控制信号将发光控制信号顺序地提供给发光控制线en。例如，发光控制驱动器220可以从时序控制器(或类似部件)接收控制信号，并且基于控制信号，发光控制驱动器220可以顺序地将发光控制信号提供给发光控制线en。随后，发光控制信号可以控制多个像素px的发光。

例如，发光控制信号可以控制多个像素px的发光时间。另外，发光控制信号可以控制多个像素px的发光的持续时间。然而，可以根据多个像素px的内部结构省略发光控制驱动器220。

数据驱动器230可以将数据信号提供给数据布线dw之中的数据线dam。提供的数据信号可以与从诸如时序控制器等的外部源提供的控制信号对应。

当扫描信号被提供给第一扫描线sc2n或第二扫描线sc2n-1时，提供给数据线dam的数据信号被提供给多个像素px之中的由扫描信号选择的一个像素。随后，多个像素px被充以与数据信号对应的电压，多个像素px以对应的亮度发光。这里，与栅极驱动器210一样，图3中示出的数据驱动器230设置在柔性膜上的驱动芯片上。

数据布线dw设置在第二栅极布线gw2上，第二绝缘层ild可以置于数据布线dw与第二栅极布线gw2之间。另外，数据布线dw可以在与第一方向(例如，x轴方向)交叉的第二方向(例如，y轴方向)上延伸。数据布线dw可以包括数据线da1至dam和驱动电源线elvddl。

数据线dam可以连接到数据驱动器230，数据线dam可以从数据驱动器230接收数据信号。驱动电源线elvddl可以连接到外部的第一电源elvdd，驱动电源线elvddl可以从第一电源elvdd接收驱动电源。

在这种情况下，驱动电源线elvddl和数据线dam可以设置在同一层上，所述同一层可以是例如第二绝缘层ild。在本发明构思的示例性实施例中，驱动电源线elvddl和数据线dam可以设置在不同的层上。例如，驱动电源线elvddl可以与第一栅极布线gw1设置在同一层上，并且数据线dam可以与第二栅极布线gw2设置在同一层上。

在本发明构思的示例性实施例中，驱动电源线elvddl可以与第二栅极布线gw2设置在同一层上，并且数据线dam可以与第一栅极布线gw1设置在同一层上。

显示区域da可以包括设置在数据布线dw彼此交叉的区域中的第一栅极布线gw1、第二栅极布线gw2和多个像素px。这里，多个像素px中的每一个像素可以包括以对应于驱动电流的亮度发光的有机发光元件，其中，驱动电流与数据信号对应。多个像素px中的每一个像素还可以包括控制流到有机发光元件的驱动电流的像素电路。像素电路可以连接到第一栅极布线gw1、第二栅极布线gw2和数据布线dw。有机发光元件可以连接到像素电路。像素px被描述为有机发光元件，但是如在之前的描述中，用于本发明构思的示例性实施例的显示装置中的像素px可以被设置为液晶显示元件或电泳显示元件等。

显示区域da的这种有机发光元件可以连接到外部的第一电源elvdd，像素电路可以置于有机发光元件与第一电源elvdd之间。另外，有机发光元件还可以连接到第二电源elvss。第一电源elvdd和第二电源elvss中的每一个将驱动电源和共电源提供给显示区域da的多个像素px。另外，多个像素px根据被提供的驱动电源和共电源以与从第一电源elvdd流到有机发光元件的驱动电流对应的亮度来发光，其中，驱动电流对应于数据信号。

如所描述的，根据本发明构思的示例性实施例的显示装置可以包括包含第二扫描线sc2n-1的第一栅极布线gw1。显示装置还可以包括发光控制线en，发光控制线en是设置在它们彼此不叠置并沿第一方向(例如，x轴方向)延伸跨过多个像素px的区域中的栅极布线。显示装置还可以包括包含第一扫描线sc2n和初始化电源线vinit的第二栅极布线gw2。

第一栅极布线gw1和第二栅极布线gw2可以分别设置在不同的层上，第一绝缘层gi2可以置于第一栅极布线gw1与第二栅极布线gw2之间，而不是设置在同一层上。由于设置在不同的层上的相邻的栅极布线之间的距离w可以是窄的，因此可以在同一区域中布置更多的像素px。结果，可以实现具有高分辨率的显示装置。

图5是图3的单个像素中包括的有机发光元件的剖视图。

将参照图5详细描述在本发明构思的示例性实施例的多个像素px的每一个像素中包括的有机发光元件的结构。

包括在有机发光元件中的第一基底100可以由诸如金属材料的无机材料或诸如树脂的有机材料等制成。另外，第一基底100可以透射光或阻挡光，并且可以是柔性的。

此外，基底缓冲层126设置在第一基底100上方。基底缓冲层126防止杂质元素的渗透，并使其表面平坦。

在这种情况下，基底缓冲层126可以包括能执行上述功能的各种材料。例如，基底缓冲层126可以包括氮化硅(sinx)层、氧化硅(siox)层和氮氧化硅(sioxny)层中的一种。然而，在发明构思的示例性实施例中，根据第一基底100的类型和工艺条件，可以省略基底缓冲层126。

驱动半导体层137可以设置在基底缓冲层126上方。驱动半导体层137可以包括多晶硅。此外，驱动半导体层137包括未掺杂杂质的沟道区135以及在沟道区135的各侧处被掺杂的源区134和漏区136。在这种情况下，掺杂的离子材料是诸如硼(b)的p型杂质。另外，乙硼烷(b2h6)是通常用作掺杂的离子材料的化合物。这里，杂质可以根据薄膜晶体管的类型而改变。

包括氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的栅极绝缘层127设置在驱动半导体层137的上方。

包括驱动栅电极133的栅极布线设置在栅极绝缘层127的上方。此外，驱动栅电极133与驱动半导体层137的至少一部分叠置，具体地，与沟道区135叠置。

此外，覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128设置在栅极绝缘层127的上方。接触驱动半导体层137的源区134和漏区136的接触孔128a设置在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中。

与栅极绝缘层127相似，层间绝缘层128可以包括诸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的陶瓷基材料。

此外，包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线设置在层间绝缘层128上方。另外，驱动源电极131和驱动漏电极132分别通过穿透栅极绝缘层127和层间绝缘层128的接触孔128a而与驱动半导体层137的源区134和漏区136连接。

如所描述的，驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132被包括在驱动薄膜晶体管130中。驱动薄膜晶体管130的构造不限于前述的示例，并且可以进行各种修改。

此外，覆盖驱动源电极131和驱动漏电极132的平坦化层124设置在层间绝缘层128的上方。平坦化层124可以使由驱动源电极131和驱动漏电极132形成的台阶平坦，以提高将要设置在其上的有机发光元件的发光效率。另外，平坦化层124包括部分地暴露驱动漏电极132的通孔122a。

平坦化层124可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(bcb)中的一种或更多种材料。

本发明构思的示例性实施例不限于上述结构，可以省略平坦化层124和层间绝缘层128中的一个。

在这种情况下，有机发光元件ld的第一电极(例如，像素电极160)设置在平坦化层124上方。例如，有机发光二极管(oled)显示器包括设置在它们各自的像素中的多个像素电极160。多个像素电极160中的每一个像素电极彼此分开特定的距离。像素电极160通过平坦化层124的电极通孔122a电连接到驱动漏电极132。

像素电极160可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的透明导电金属，或者诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂/钙(lif/ca)、氟化锂/铝(lif/al)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)或金(au)的反射金属。

此外，像素限定层125可以设置在平坦化层124的上方。像素限定层125可以包括其中可以设置有机发射层170的开口。像素限定层125可以限定其中设置有机发射层170的像素区域。

在这种情况下，像素电极160对应于像素限定层125的开口设置。例如，像素电极160可以设置在像素限定层125的开口中。在本发明构思的示例性实施例中，像素电极160可以不总是设置在像素限定层125的开口中，像素电极160的一部分可以设置在像素限定层125的下方使得像素限定层125被叠置。

像素限定层125可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或氧化硅基无机材料。

有机发射层170设置在像素电极160的上方。

此外，例如共电极180的第二电极可以设置在有机发射层170的上方。以这种方式，可以形成包括像素电极160、有机发射层170和共电极180的有机发光元件ld。

共电极180可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)的透明导电材料或者透反射式的导电材料。

通过覆盖共电极180来保护共电极180的覆盖膜190可以作为有机层设置在共电极180上。

图6是图1的区域a的放大图，图7是沿着线vii-vii截取的图6的剖视图，图8是图6的区域b中的第二金属层的俯视图，图9是图6的第一金属层的俯视图。

在下文中，将参照图6至图9详细描述设置在外围区域pa中的密封剂sl的分层结构。为了方便起见，在图6至图9中的密封剂sl的分层结构的描述中，将省略与图4中示出的密封剂的结构相同的结构的详细描述。

参照图6和图7，第二金属层ml2_a设置在栅极绝缘层127的上方。在这种情况下，第二金属层ml2_a接触设置在多个通孔sh中的下密封剂sl_b。由于第二金属层ml2_a设置在栅极绝缘层127的上方，因此可以防止穿透第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild的多个通孔sh向下延伸。例如，可以防止多个通孔sh延伸到栅极绝缘层127和基底缓冲层126。

在本发明构思的示例性实施例中，第二金属层ml2_a设置在栅极绝缘层127的上方。因此，防止多个通孔sh向下延伸。结果，可以抑制由于在显示装置的制造工艺期间设置在多个通孔sh中然后被去除的平坦化层124(例如，参照图5)的残余物而引起的除气。如所描述的，当抑制多个通孔sh中的除气时，可以防止多个通孔sh中的下密封剂sl_b抬起，从而防止粘附的弱化。稍后将描述多个通孔sh中的除气的发生。

如图8中所示，第二金属层ml2_a可以包括多个支撑部分ml2_a_1和多个连接部分ml2_a_2。在本发明构思的示例性实施例中，设置在外围区域pa中的第二金属层ml2_a可以与设置在显示区域da中的第一栅极布线gw1设置在同一层上。

多个支撑部分ml2_a_1可以彼此分隔开并可以保持彼此平行。多个支撑部分ml2_a_1中的每个支撑部分可以具有多边形形状。在图8中，多个支撑部分ml2_a_1中的每个支撑部分具有四边形形状。例如，支撑部分ml2_a_1可以具有正方形形状。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此，多个支撑部分ml2_a_1中的每个可以具有诸如三角形形状、四边形形状、五边形形状、六边形形状、七边形形状或八边形形状等的各种形状。

在这种情况下，如图6和图7中所示，多个支撑部分ml2_a_1中的每个支撑部分可以与穿过设置在第一金属层ml1中的多个开口mh1的多个通孔sh叠置。

此外，多个连接部分ml2_a_2中的每个可以连接多个支撑部分ml2_a_1之中彼此相邻的一对支撑部分ml2_a_1。在这种情况下，与多个支撑部分ml2_a_1一样，多个连接部分ml2_a_2中的每个连接部分也可以具有多边形形状。在发明构思的示例性实施例中，多个连接部分ml2_a_2中的每个连接部分可以具有四边形形状。

如图8中所示，多个支撑部分ml2_a_1中的每个支撑部分的平坦表面的面积大于多个连接部分ml2_a_2中的每个连接部分的面积。多个连接部ml2_a_2中的每个连接部分可以电连接到多个支撑部分ml2_a_1中的每个支撑部分。另外，多个连接部分ml2_a_2可以电连接多个支撑部分ml2_a_1。因此，多个连接部分ml2_a_2中的每个可以具有比防止多个通孔sh向下延伸的多个支撑部分ml2_a_1中的每个小的平坦表面。

在本发明构思的示例性实施例中，多个连接部分ml2_a_2连接多个支撑部分ml2_a_1，使得可以防止第二金属层ml2_a中的静电集中。

返回参照图6和图7，第一金属层ml1设置在第二金属层ml2_a的上方，并与第二金属层ml2_a分开特定的距离。例如，第一金属层ml1可以设置在第一绝缘层gi2上。另外，第一金属层ml1可以具有多个开口mh1。在本发明构思的示例性实施例中，设置在外围区域pa中的第一金属层ml1可以设置在与在显示区域da中设置的第二栅极布线gw2的层相同的层上。

如图6中所示，第二金属层ml2_a设置在多个开口mh1中。例如，第一金属层ml1和第二金属层ml2_a可以彼此不叠置。此外，第一金属层ml1的多个开口mh1可以与第二金属层ml2_a叠置。第二金属层ml2_a的总面积可以比多个开口mh1的总面积小。

如在本发明构思的示例性实施例中，当第一金属层ml1和第二金属层ml2_a彼此不叠置时，可以防止第一金属层ml1和第二金属层ml2_a短路。当第一金属层ml1和第二金属层ml2_a彼此叠置时，如果部分地去除第一绝缘层gi2，则第一金属层ml1和第二金属层ml2_a会短路。

参照图9，多个开口mh1可以分别具有与第二金属层ml2_a的形状对应的形状。这里，第一金属层ml1的一个开口mh1提供与图8中所示的第二金属层ml2_a的形状对应的开口区域。

此外，覆盖第二金属层ml2_a的第一绝缘层gi2可以设置在第一基底100的上方。此外，覆盖第一金属层ml1的第二绝缘层ild可以设置在第一绝缘层gi2的上方。

在本发明构思的示例性实施例中，同时穿透第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild的多个通孔sh形成在第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild中。在这种情况下，多个通孔sh穿过第一金属层ml1的开口mh1并延伸到第二金属层ml2_a的表面。例如，多个通孔sh延伸到第二金属层ml2_a的支撑部分ml2_a_1的表面。例如，多个通孔sh穿过第一金属层ml1的开口mh1，并且可以与第二金属层ml2_a叠置。

此外，密封剂sl可以设置在第二绝缘层ild上。在这种情况下，密封剂sl可以被分为上密封剂sl_a和下密封剂sl_b。上密封剂sl_a表示设置在第二绝缘层ild上的部分，下密封剂sl_b表示从上密封剂sl_a延伸到第二金属层ml2_a的部分。另外，多个通孔sh被下密封剂sl_b填充。

在本发明构思的示例性实施例中，多个通孔sh被下密封剂sl_b填充，使得可以增强密封剂sl与第一绝缘层gi1和第二绝缘层ild之间的粘附。与密封剂sl仅设置在第二绝缘层ild的上方的情况相比，当多个通孔sh被下密封剂sl_b填充使得密封剂sl与第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild之间的接触面积增大时，可以增强相互粘附。

在下文中，将参照图10和图11描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中设置密封剂的区域。在本发明构思的示例性实施例的描述中，将不进一步描述与本发明构思的上述示例性实施例的构造相同的构造。

图10是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中设置有密封剂的区域的放大图，图11是图10的线xi-xi的剖视图。

参照图10和图11，第二金属层ml2_b设置在栅极绝缘层127的上方，并接触设置在多个通孔sh中的下密封剂sl_b。由于第二金属层ml2_b设置在栅极绝缘层127的上方，因此可以防止穿透第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild的多个通孔sh进一步向下延伸。例如，可以防止多个通孔sh延伸到栅极绝缘层127和基底缓冲层126。

与图6和图7中描述的发明构思的示例性实施例的第二金属层ml2_a不同，本发明构思的示例性实施例的第二金属层ml2_b可以包括未形成特定图案的平坦基底的形状。例如，图6和图7中的第二金属层ml2_a通过聚集图8的第二金属层ml2_a的多个图案来形成，但是本发明构思的示例性实施例的第二金属层ml2_b是完全连接的层，而不是被分成多个部分。例如，图6和图7中的第二金属层ml2_a可以包括彼此分开的多个部分。

此外，第一金属层ml1设置在第二金属层ml2_b的上方，并且与第二金属层ml2_b分开特定的距离。第一金属层ml1可以具有多个开口mh2。在本发明构思的示例性实施例中，在左侧、右侧、顶部和底部方向上以恒定长度设置四边形形状的开口mh2。例如，开口mh2可以设置在x轴、y轴和z轴方向上。另外，参照图10，多个开口mh2可以围绕多个通孔sh。

第一绝缘层gi2可以设置在第二金属层ml2_b上，使得第二金属层ml2_b被第一绝缘层gi2覆盖。另外，第一绝缘层gi2可以设置在第一基底100的上方。

在本发明构思的示例性实施例中，同时穿透第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild的多个通孔sh设置在第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild中。在这种情况下，多个通孔sh穿过第一金属层ml1的开口mh2并且延伸到第二金属层ml2_b的表面。例如，多个通孔sh可以穿过第一金属层ml1的开口mh2，并因此延伸到第二金属层ml2_b。

密封剂sl可以设置在第二绝缘层ild上方。在这种情况下，密封剂sl可以被分为上密封剂sl_a和下密封剂sl_b。上密封剂sl_a表示设置在第二绝缘层ild上方的部分，下密封剂sl_b表示从上密封剂sl_a延伸并且填充在多个通孔sh中的部分。

在本发明构思的示例性实施例中，多个通孔sh被下密封剂sl_b填充，使得可以增强密封剂sl与第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild之间的粘附。与密封剂sl仅设置在第二绝缘层ild的上方的情况相比，当多个通孔sh也被下密封剂sl_b填充使得增大密封剂sl与第一绝缘层gi2和第二绝缘层ild之间的接触时，可以增强相互粘附。

图12至图14顺序地示出了用于形成根据示例的显示装置中设置密封剂的区域的工艺。

在下文中，参照图12至图14，将描述在多个通孔sh中发生除气并因此减弱密封剂sl的粘附的工艺。

参照图12，在根据示例的显示装置中，多个通孔sh穿透第二金属层ml2_c的开口并延伸到第一基底100。例如，也通过穿透栅极绝缘层127和基底缓冲层126来形成多个通孔sh。在这种情况下，当形成图5的接触孔128a时，可以同时形成多个通孔sh。

接下来，在第二绝缘层ild上并且在多个通孔sh中设置平坦化层124。图13的平坦化层124和图5的平坦化层124同时形成。可以在图5的平坦化层124中形成通孔122a的工艺期间去除图13的平坦化层124。

接下来，如图14中所示，当去除平坦化层124时，可以在第二绝缘层ild上并且在多个通孔sh中设置密封剂sl。

然而，当去除平坦化层124时，平坦化层124的残余物rm会残留在多个通孔sh中的一些通孔中。与本发明构思的上述示例性实施例(例如，图11)相比，图12至图14中示出的示例的多个通孔sh的深度比本发明构思的上述示例性实施例的多个通孔sh(例如，图11)的深度深，使得不能完全地去除多个通孔sh的下部区域中的平坦化层124。例如，如图14中所示，平坦化层124的残余物rm会残留在多个通孔sh的下部区域中。

当平坦化层124的残余物rm残留时，由于残余的平坦化层124，导致会在多个通孔sh中发生除气。因此，密封剂sl和绝缘层之间的粘附会劣化。

因此，在本发明构思的示例性实施例中，与示例相比，可以减小多个通孔sh的深度。因此，可以抑制多个通孔sh中的除气的发生，使得可以防止多个通孔sh中的下密封剂sl_b抬起，从而防止粘附的减弱。

在根据本发明构思的示例性实施例的显示装置中，第二金属层ml2_a和ml2_b设置在栅极绝缘层127的上方，使得可以防止多个通孔sh向下延伸。因此，可以抑制由于平坦化层124的残余物rm引起的除气的发生。当抑制了多个通孔sh中的除气的发生时，可以防止设置在多个通孔sh中的下密封剂sl_b抬起，从而防止粘附的减弱。

尽管已经参照本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员要理解的是，本发明构思不限于所公开的示例性实施例，而是相反，意图覆盖包括在由所附权利要求所限定的本发明构思的精神和范围内的各种修改和等同布置。