技术特征：
技术总结
本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。
技术研发人员：内山弘基;政冈雷太郎;藤井祥平;城川真生子
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2017.09.29