一种碳插层V2O3纳米材料、其制备方法和应用与流程

文档序号:12827761阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种碳插层V2O3纳米材料的制备方法和应用,包括以下步骤:(1)将五氧化二钒粉末加入有机胺液体中,搅拌混合均匀;(2)将混合液转移至反应釜进行水热反应;(3)将得到的杂化前驱体干燥后,放入炉子中,并通入惰性气体进行碳化,得到V2O3/C杂化纳米材料。本发明制备的V2O3/C杂化纳米材料形貌均一,并且碳层能有效的分散于材料内部纳米基质。该材料应用于锂离子电池和钠离子电池负极时,能极大地提高金属氧化物作电极材料时的倍率性能,提高电池的体积能量密度,具有较大的应用前景。

技术研发人员:霍开富;张家宝;李庆伟
受保护的技术使用者:华中科技大学
技术研发日:2017.03.24
技术公布日:2017.07.07
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