技术特征：
技术总结
本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法，所述方法包含形成传导层于第一绝缘层上；蚀刻所述传导层的一部分，以暴露所述第一绝缘层的一部分；变形所述第一绝缘层的所述部分的表面，以形成所述第一绝缘层的粗糙表面；以及从所述第一绝缘层的所述粗糙表面移除所述传导层的残留物。
技术研发人员：黄伟立;翁正杰;苏祥盛;黄宗隆;刘国洲;黄信傑;廖德堆;古进誉;陈承先
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2017.10.03