技术总结
本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，栅极结构的多晶硅栅形成于深沟槽顶部侧面，两侧的多晶硅栅之间形成有第二介质层且该第二介质层深入到多晶硅栅的底部，源极多晶硅形成于第二介质层的底部，在源极多晶硅和深沟槽的侧面和底部表面之间隔离有底部介质层。第二介质层实现源极多晶硅和多晶硅栅之间的隔离，能减少源极多晶硅和多晶硅栅之间的寄生电容。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能降低器件的栅源寄生电容，改善器件的输入电容并提高器件的性能。
技术研发人员：颜树范
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710206001
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2017.06.20