非易失性存储单元和非易失性存储器的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明描述了一种非易失性存储单元。非易失性存储单元包括衬底、绝缘体、浮栅和控制栅极。衬底具有鳍。绝缘体位于衬底的上方，其中，鳍位于绝缘体之间。浮栅位于鳍和绝缘体的上方。控制栅极位于绝缘体上的浮栅的上方且包括位于浮栅的侧壁上方的第一接触槽中的至少一个。本发明还描述了一种非易失性存储器。

技术研发人员：吴钧雄;金雅琴;林崇荣
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.05.02
技术公布日：2017.12.08