技术特征：
技术总结
本申请公开了一种半导体装置以及制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底，在该衬底上的半导体鳍片，以及在该半导体鳍片上的伪栅极结构，该伪栅极结构包括：在该半导体鳍片表面上的伪栅极电介质层和在该伪栅极电介质层上的伪栅极；在该半导体结构上形成层间电介质层；对形成层间电介质层之后的半导体结构执行平坦化，以露出伪栅极的上表面；以及经由伪栅极对半导体鳍片执行第一掺杂，以在该半导体鳍片中形成抗穿通区域。本申请可以防止源极和漏极穿通，而且可以减小器件的漏电流和寄生电容，从而可以提高器件性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2018.12.07