一种逆阻型氮化镓器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮化镓器件具有与传统硅工艺兼容、可低温制备等优点。

技术研发人员：陈万军;施宜军;刘杰;李茂林;崔兴涛;刘超;周琦;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2017.09.15