技术特征：
技术总结
一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
技术研发人员：张金;魏洋;姜开利;范守善
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
技术研发日：2017.05.24
技术公布日：2018.12.04