一种Fe3Sn2材料的用途及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种Fe3Sn2材料作为磁存储材料的用途。Fe3Sn2材料具有室温磁性斯格明子纳米磁筹结构，能够作为磁存储材料用于磁存储器。

技术研发人员：王文洪;侯志鹏;丁贝;刘恩克;吴光恒
受保护的技术使用者：中国科学院物理研究所
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2017.09.29