SONOS存储器栅极结构的制造方法与流程

本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种sonos存储器栅极结构的制造方法。

背景技术：

可靠性作为半导体器件的一个重要指标，在器件的稳定、可靠运行中起着关键作用。sonos存储器栅极结构的ono层通常采用和多晶硅栅的侧面自对准的结构。而ono层由于直接和存储器的信息的存储相关，故ono层的形成工艺对器件的稳定和可靠运行尤为重要。如图1a至图1d所示，是现有sonos存储器栅极结构的制造方法的各步骤中的结构示意图，现有sonos存储器栅极结构的制造方法包括如下步骤：

步骤一、如图1a所示，在半导体衬底101表面依次形成ono层102、多晶硅栅103和顶部氧化层104；所述ono层102包括依次叠加于所述半导体衬底101表面的第一氧化层102a、第二氮化层102b和第三氧化层102c。较佳为，所述半导体衬底101为硅衬底。第一氧化层102a、所述第三氧化层102c和后续的顶部氧化层104和第一侧墙氧化层106都为氧化硅层。所述第二氮化层102b和后续的第二侧墙氮化层107都为氮化硅层。

步骤二、如图1a所示，光刻定义出栅极结构的形成区域，根据光刻定义依次对所述顶部氧化层104和所述多晶硅栅103进行刻蚀。刻蚀后所述栅极结构的形成区域外的所述顶部氧化层104和所述多晶硅栅103都被去除，所述栅极结构的形成区域的所述顶部氧化层104和所述多晶硅栅103保留。

之后，如图1b所示，接着进行所述ono层102的刻蚀。通常，对所述ono层102的刻蚀为干法刻蚀加湿法刻蚀，即对所述ono层102的干法完成后进行一步湿法刻蚀。由于所述ono层102的干法刻蚀工艺是直接和所述多晶硅栅103的侧面自对准，这样所述ono层102不可避免的会在所述多晶硅栅103的边缘底部形成一定的横向凹陷即小切(undercut)如图1b中的虚线圈201所示。再者，干法刻蚀之后的湿法刻蚀会进一步的增加横向凹陷的范围，这会对器件的可靠性带来较大的问题。

步骤三、如图1c所示，依次沉积第一侧墙氧化层106和第二侧墙氮化层107。较佳为，在所述第一侧墙氧化层106和所述多晶硅栅103侧面之间还形成有对多晶硅进行氧化层形成的第四氧化层105。

步骤四、采用全面刻蚀工艺依次对所述第二侧墙氮化层107、所述第一侧墙氧化层106和所述ono层102进行刻蚀，刻蚀后在所述多晶硅栅103侧面自对准形成由所述第一侧墙氧化层106和所述第二侧墙氮化层107叠加形成的侧墙结构。

由上可知，现有栅极结构的形成工艺例如95nm及以下的自对准sonos平台下形成的产品，容易在多晶硅栅底部形成undercut，引起ono缺陷。随后的湿法刻蚀容易通过ono此缺陷进一步腐蚀ono结构，造成可靠性的不稳定。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种sonos存储器栅极结构的制造方法，能提高栅极的ono层的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供的sonos存储器栅极结构的制造方法包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底表面依次形成ono层、多晶硅栅和顶部氧化层；所述ono层包括依次叠加于所述半导体衬底表面的第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层。

步骤二、光刻定义出栅极结构的形成区域，根据光刻定义依次对所述顶部氧化层和所述多晶硅栅进行刻蚀，刻蚀停止于所述ono层表面，刻蚀后所述栅极结构的形成区域外的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅都被去除，所述栅极结构的形成区域的所述顶部氧化层和所述多晶硅栅保留。

步骤三、依次沉积第一侧墙氧化层和第二侧墙氮化层。

步骤四、采用全面刻蚀工艺依次对所述第二侧墙氮化层、所述第一侧墙氧化层和所述ono层进行刻蚀，刻蚀后在所述多晶硅栅侧面自对准形成由所述第一侧墙氧化层和所述第二侧墙氮化层叠加形成的侧墙结构，所述ono层在刻蚀后也自对准位于所述多晶硅栅和所述侧墙结构的底部，形成由所述ono层、所述多晶硅栅、所述顶部氧化层和所述侧墙结构组成的栅极结构；所述ono层的边缘和所述侧墙结构的边缘对齐，防止所述ono层的边缘凹陷到所述多晶硅栅的底部，从而提高器件的可靠性。

进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底。

进一步的改进是，在所述第一侧墙氧化层和所述多晶硅栅侧面之间还形成有对多晶硅进行氧化层形成的第四氧化层。

进一步的改进是，第一氧化层、所述第三氧化层、所述顶部氧化层和所述第一侧墙氧化层都为氧化硅层。

进一步的改进是，所述第二氮化层和所述第二侧墙氮化层都为氮化硅层。

进一步的改进是，步骤三中沉积的所述第一侧墙氧化层的厚度为

进一步的改进是，步骤三中沉积的所述第二侧墙氮化层的厚度为

进一步的改进是，步骤二中对所述顶部氧化层和所述多晶硅栅的刻蚀为干法刻蚀。

进一步的改进是，步骤四中对所述第二侧墙氮化层和所述第一侧墙氧化层的刻蚀为干法刻蚀；对所述ono层的刻蚀为干法刻蚀加湿法刻蚀，对所述ono层的干法完成后进行一步湿法刻蚀，在所述侧墙结构的保护下防止所述ono层的边缘凹陷到所述多晶硅栅的底部。

本发明对栅极结构的形成工艺做了改进，ono层的刻蚀不是在多晶硅栅刻蚀后接着进行，而是将对ono层的刻蚀放置在侧墙对应的刻蚀工艺之后进行，由于侧墙的材料和ono层的材料类似，所以能一次连续刻蚀同时自对准形成侧墙结构和ono层，由于刻蚀形成的ono层的侧面将会直接对准于侧墙结构的侧面，而侧墙结构由于具有一定的厚度，所以，即使在对ono层的刻蚀中存在凹陷即横向凹陷的情形，ono层的这种这种横向凹陷通常称为undercut即下切，也即即使ono层的刻蚀存在横向凹陷，横向凹陷的位置也不会位于多晶硅栅的底部，所以，能提高栅极的ono层的可靠性。

另外，由于本发明的ono层的刻蚀是和侧墙材料的刻蚀整合在一起进行的，不需要单独进行ono层的刻蚀和侧墙材料的刻蚀，故能够节省一次刻蚀工艺步骤，所以本发明还能节约工艺成本。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1a-图1d是现有sonos存储器栅极结构的制造方法的各步骤中的结构示意图；

图2是本发明实施例sonos存储器栅极结构的制造方法的流程图；

图3a-图3c是本发明实施例sonos存储器栅极结构的制造方法的各步骤中的结构示意图。

具体实施方式

如图2所示，是本发明实施例sonos存储器栅极结构的制造方法的流程图；如图3a至图3c所示，是本发明实施例sonos存储器栅极结构的制造方法的各步骤中的结构示意图，本发明实施例sonos存储器栅极结构的制造方法包括如下步骤：

步骤一、如图3a所示，在半导体衬底1表面依次形成ono层2、多晶硅栅3和顶部氧化层4；所述ono层2包括依次叠加于所述半导体衬底1表面的第一氧化层2a、第二氮化层2b和第三氧化层2c。较佳为，所述半导体衬底1为硅衬底。第一氧化层2a、所述第三氧化层2c和后续的顶部氧化层4和第一侧墙氧化层6都为氧化硅层。所述第二氮化层2b和后续的第二侧墙氮化层7都为氮化硅层。

步骤二、如图3a所示，光刻定义出栅极结构的形成区域，根据光刻定义依次对所述顶部氧化层4和所述多晶硅栅3进行刻蚀，刻蚀停止于所述ono层2表面，刻蚀后所述栅极结构的形成区域外的所述顶部氧化层4和所述多晶硅栅3都被去除，所述栅极结构的形成区域的所述顶部氧化层4和所述多晶硅栅3保留。

较佳为，对所述顶部氧化层4和所述多晶硅栅3的刻蚀为干法刻蚀。

步骤三、如图3b所示，依次沉积第一侧墙氧化层6和第二侧墙氮化层7。较佳为，在所述第一侧墙氧化层6和所述多晶硅栅3侧面之间还形成有对多晶硅进行氧化层形成的第四氧化层5。沉积的所述第一侧墙氧化层6的厚度为沉积的所述第二侧墙氮化层7的厚度为

步骤四、采用全面刻蚀工艺依次对所述第二侧墙氮化层7、所述第一侧墙氧化层6和所述ono层2进行刻蚀，刻蚀后在所述多晶硅栅3侧面自对准形成由所述第一侧墙氧化层6和所述第二侧墙氮化层7叠加形成的侧墙结构，所述ono层2在刻蚀后也自对准位于所述多晶硅栅3和所述侧墙结构的底部，形成由所述ono层2、所述多晶硅栅3、所述顶部氧化层4和所述侧墙结构组成的栅极结构；所述ono层2的边缘和所述侧墙结构的边缘对齐即自对准，防止所述ono层2的边缘凹陷到所述多晶硅栅3的底部，从而提高器件的可靠性。

较佳为，对所述第二侧墙氮化层7和所述第一侧墙氧化层6的刻蚀为干法刻蚀；对所述ono层2的刻蚀为干法刻蚀加湿法刻蚀，对所述ono层2的干法完成后进行一步湿法刻蚀，在所述侧墙结构的保护下防止所述ono层2的边缘凹陷到所述多晶硅栅3的底部。

由上可知，本发明实施例对栅极结构的形成工艺做了改进，ono层2的刻蚀不是在多晶硅栅3刻蚀后接着进行，而是将对ono层2的刻蚀放置在侧墙对应的刻蚀工艺之后进行，由于侧墙的材料和ono层2的材料类似，所以能一次连续刻蚀同时自对准形成侧墙结构和ono层2，由于刻蚀形成的ono层2的侧面将会直接对准于侧墙结构的侧面，而侧墙结构由于具有一定的厚度，所以，即使在对ono层2的刻蚀中存在凹陷即横向凹陷的情形，横向凹陷的位置也不会位于多晶硅栅3的底部，所以，能提高栅极的ono层2的可靠性。

另外，由于本发明实施例的ono层2的刻蚀是和侧墙材料的刻蚀整合在一起进行的，不需要单独进行ono层2的刻蚀和侧墙材料的刻蚀，故能够节省一次刻蚀工艺步骤，所以本发明实施例还能节约工艺成本。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。