技术特征：
技术总结
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述半导体衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层；在第一鳍部上形成第一初始掺杂层；在第二鳍部上形成第二初始掺杂层，第二初始掺杂层与第一初始掺杂层相邻；对第一初始掺杂层和第二初始掺杂层进行氧化处理，使第一初始掺杂层形成第一掺杂层以及位于第一掺杂层表面的第一氧化层，使第二初始掺杂层形成第二掺杂层以及第二掺杂层表面的第二氧化层；去除第一氧化层和第二氧化层。所述方法提高半导体器件的性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
技术研发日：2017.11.10
技术公布日：2019.05.21