技术特征：
技术总结
本发明涉及一种二维光子晶体选择性辐射器及制备方法，其中包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体。本发明以硅的刻蚀与薄膜沉积技术为基础制备二维光子晶体选择性辐射器，可以充分利用硅基集成电路制备工艺及现有产线，大幅降低生产成本。
技术研发人员：谭永胜;李秀东;方泽波
受保护的技术使用者：绍兴文理学院
技术研发日：2017.11.22
技术公布日：2018.03.23