一种刻蚀腔室的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种刻蚀腔室。

背景技术：

基板的制备过程中，常采用等离子体刻蚀的方式来形成基板上的预定图案。等离子体刻蚀是利用高频电源和反应气体生成低温等离子体，其包含离子和自由基，该离子和自由基与待刻蚀基板上未被光刻胶覆盖的物质反应生成挥发性物质，从而达到刻蚀的效果。

其中，如图1(a)和图1(b)所示，刻蚀腔室包括顶部开口的腔体10、盖合在腔体10顶部的盖体20、以及设置在腔体10顶部的密封结构30，腔体10上设置有特气孔11。

现有技术中，特气孔11设置在密封结构30内侧，为了绕过特气孔11，密封结构30在特气孔11两侧位置处会有明显的拐角，使得拐角位置处的密封结构30会承受有较大的张力，导致密封结构出现破裂。在此基础上，刻蚀腔室内进行刻蚀工艺时，密封结构30与特气和等离子体接触，导致其老化速度加快，容易开裂，从而大大减少了密封结构30的使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型的实施例提供一种刻蚀腔室，可延长刻蚀腔室的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

提供一种刻蚀腔室，包括顶部开口的腔体、盖合在所述腔体顶部的盖体、以及设置在所述腔体顶部的密封结构，所述腔体的顶部设置有特气孔，所述特气孔设置在所述密封结构内侧，在设置有所述特气孔的一侧，所述密封结构为向远离所述特气孔一侧凸出的弧形形状。

优选的，在设置有所述特气孔的一侧，所述密封结构包括第一部分和第二部分；所述第一部分为弧形形状，与所述特气孔对应；所述第二部分为线形形状，分别设置在所述第一部分的两端且与所述第一部分的端点相切。

优选的，所述密封结构为密封圈。

进一步优选的，所述腔体的顶部设置有一圈凹槽，所述密封圈设置在所述凹槽内。

进一步优选的，沿所述腔体顶部到所述腔体底部的方向，所述密封圈的截面形状为圆形。

可选的，所述凹槽的深度为所述密封圈直径的2/3。

可选的，所述凹槽的深度为所述密封圈直径的1/2。

基于上述，优选的，所述腔体为顶部开口的中空型立方体。

本实用新型实施例提供一种刻蚀腔室，通过将密封结构在设置有特气孔的一侧的形状设置为向远离特气孔一侧突出的弧形，使得密封结构在特气孔两侧位置处没有明显的拐角，而是在沿远离腔体内部的方向，以逐渐收敛的方式绕过特气孔，使得密封结构无需承受内部表面张力，因此不易出现破裂，可延长密封结构的使用寿命，从而延长刻蚀腔室的使用寿命，降低更换次数，节约成本。

此外，在刻蚀腔室进行刻蚀工艺时，密封结构直接与特气和等离子体接触，而特气和等离子体对密封结构有腐蚀作用，在密封结构没有破裂的情况下，特气和等离子体对密封结构的腐蚀速度会减慢，可进一步延长密封结构的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1(a)为现有技术提供的一种刻蚀腔室的结构示意图；

图1(b)为现有技术提供的一种刻蚀腔室的俯视示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图一；

图3为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图二；

图4为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的俯视示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种刻蚀腔室的结构示意图三。

附图标记：

10-腔体；12-凹槽；20-盖体；11-特气孔；31-第一部分；32-第二部分；30-密封结构。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种刻蚀腔室，如图2所示，包括顶部开口的腔体10、盖合在腔体10顶部的盖体20、以及设置在腔体10顶部的密封结构30。腔体10的顶部设置有特气孔11，特气孔11设置在密封结构30内侧，在设置有特气孔11的一侧，密封结构30为向远离特气孔11一侧凸出的弧形形状。

需要说明的是，第一，不对特气孔11的具体设置位置进行限定，图2中特气孔11的设置位置仅为示意。

第二，密封结构30可以设置在腔体10顶部的中间，也可以靠近腔体10中空部分设置，当然还可以远离腔体10中空部分设置，本实用新型实施例不对此进行限定。

其中，密封结构30的宽度可以如图2所示小于腔体10的壁厚，也可以等于腔体10的壁厚。

此外，不对密封结构30在腔体10上的设置方式进行限定，盖体20盖合腔体10后，密封结构30的上表面与盖体20接触，下表面与腔体10接触即可。

再者，本领域技术人员应该明白，密封结构30用于对腔体10和盖体20进行密封，因此为了确保密封效果，密封结构30应围绕腔体10的中空部分一圈设置。

第三，在没有设置特气孔11的一侧，密封结构30的形状可以如图2所示与腔体10侧壁的形状相同，也可以不同，不增加密封结构30的表面张力即可。不对设置有特气孔11一侧的密封结构30与没有设置特气孔11一侧的密封结构30之间的衔接方式进行限定，可以但不限于为如图2所示的一体式结构。

其中，密封结构30内侧，即为密封结构30靠近腔体10中空部分一侧。

第四，不对腔体10的形状进行限定，其为顶部开口的中空型腔体即可。

本实用新型实施例提供一种刻蚀腔室，通过将密封结构30在设置有特气孔11的一侧的形状设置为向远离特气孔11一侧突出的弧形，使得密封结构30在特气孔11两侧位置处没有明显的拐角，而是在沿远离腔体10内部的方向，以逐渐收敛的方式绕过特气孔11，使得密封结构30无需承受内部表面张力，因此不易出现破裂，可延长密封结构30的使用寿命，从而延长刻蚀腔室的使用寿命，降低更换次数，节约成本。

此外，在刻蚀腔室进行刻蚀工艺时，密封结构30直接与特气和等离子体接触，而特气和等离子体对密封结构30有腐蚀作用，在密封结构30没有破裂的情况下，特气和等离子体对密封结构30的腐蚀速度会减慢，可进一步延长密封结构30的使用寿命。

优选的，如图3和图4所示，在设置有特气孔11的一侧，密封结构30包括第一部分31和第二部分32；第一部分31为弧形形状，与特气孔11对应；第二部分32为线形形状，分别设置在第一部分31的两端且与第一部分31的端点(图4中黑色圆点所指位置处)相切。

其中，如图4所示，在特气孔11两侧位置处，第二部分32与第一部分31以相切方式平滑连接，图4中黑色圆点位置处为第二部分32与第一部分31的切点。

本实用新型通过将密封结构30在设置有特气孔11一侧的形状设置为线形形状以切线方式与弧形形状以切线方式相接的结构，使得设置有特气孔11一侧密封结构30与没有设置特气孔11一侧的密封结构30之间过度更为平缓，从而可进一步减小密封结构30整体的表面张力。

为了简化结构，降低成本，本实用新型实施例优选的，密封结构30为密封圈。

其中，不对密封圈的材料进行限定。本实用新型实施例优选的密封圈为能够耐腐蚀且能提供气密功能的橡胶材料，例如可以是氟橡胶或者硅氟橡胶。

进一步优选的，如图5所示，腔体10的顶部设置有一圈凹槽12，密封圈设置在凹槽12内。

其中，本领域技术人员应该明白，密封圈设置在凹槽12内，为保证密封圈的密封功能，凹槽12的深度不宜过深，需能使密封圈的上表面与盖体20接触。

此外，为避免密封圈在凹槽12内移动而影响密封效果，本实用新型实施例优选的，凹槽12的宽度不大于密封圈的宽度，以使密封圈固定的放置在凹槽12内。

本实用新型实施例通过在腔体10的顶部设置凹槽12，并将密封圈放置在凹槽12内，可以通过固定密封圈来进一步提升刻蚀腔室的密封效果。

进一步优选的，由于密封圈直接与特气和等离子体接触，为了提高密封圈的耐腐蚀性，本实用新型实施例优选的，沿腔体10顶部到腔体10底部的方向，密封圈的截面形状为圆形。

其中，为了进一步保证密封圈的密封效果，本实用新型实施例优选的，凹槽12的深度为密封圈直径的2/3。

或者可选的，凹槽12的深度为密封圈直径的1/2。

基于上述，优选的，如图2-5所示，腔体10为顶部开口的中空型立方体。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。