1.一种高可靠性芯片封装结构，其特征在于：包括芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5），所述芯片（1）通过绝缘胶层（6）固定于金属焊盘（2）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于芯片（1）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于芯片（1）的右侧，所述金属焊盘（2）下部边缘处开有第一缺口槽（7），所述左侧引脚（3）与金属焊盘（2）相向的内侧端下部开有第二缺口槽（8），所述右侧引脚（4）与金属焊盘（2）相向的内侧端下部开有第三缺口槽（9），所述环氧树脂包覆体（5）包覆于芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）上，所述金属焊盘（2）、左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体（5）的底部；
所述芯片（1）上表面的左侧区和右侧区分别开有若干个左圆凹槽（10）、若干个右圆凹槽（11），所述左圆凹槽（10）和右圆凹槽（11）各自底部均具有管脚区（12），所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的内侧端上表面分别开有第一圆凹槽（13）和第二圆凹槽（14），若干根第一金线（15）一端位于左圆凹槽（10）内并通过焊膏与管脚区（12）电连接，此第一金线（15）另一端位于左侧引脚（3）的第一圆凹槽（13）内并通过焊膏电连接，若干根第二金线（16）一端位于右圆凹槽（11）内并通过焊膏与管脚区（12）电连接，此第二金线（16）另一端位于右侧引脚（4）的第二圆凹槽（14）内并通过焊膏电连接；所述左侧引脚（3）、右侧引脚（4）的下表面镀覆有金属镀层（17）；所述金属镀层（17）为锡层或者镍钯金层。
2.根据权利要求1所述的高可靠性芯片封装结构，其特征在于：所述金属镀层（17）与左侧引脚（3）或者右侧引脚（4）的厚度比为1：8。