一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置的制作方法

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极和源漏电极；

栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极；所述保护层包括：设置在所述导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，所述第二保护层用于阻隔氧化硅。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一保护层包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在导电层靠近基底的下表面，所述第二金属层设置在导电层远离基底的上表面。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层的高度等于所述导电层的厚度。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层设置在所述第一金属层、所述导电层和所述第二金属层的侧面，所述第二保护层的高度等于第一金属层、导电层和第二金属层的厚度之和。

5.根据权利要求1-4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层的材料包括：氮化铝。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层的厚度为5-50纳米。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一金属层和第二金属层的材料包括：钼。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，导电层的材料包括：铝。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。