技术总结
本实用新型实施例公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管包括：栅电极和源漏电极，栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极，保护层包括：设置在导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，第二保护层用于阻隔氧化硅，通过在电极的导电层的侧面设置阻隔氧化硅的第二保护层，避免了氧化硅中的氢从导电层的侧面“游走”并进入导电层而导致的电极的接触电阻不均匀甚至断裂，进而改善了薄膜晶体管中电极的导电性，提高了薄膜晶体管的良品率。
技术研发人员：王东方;袁广才
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201721104937
技术研发日：2017.08.30
技术公布日：2018.03.02