1.一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，其特征在于，包括：
衬底(11)；
蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；
蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；
红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；
绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上；
还包括：
第一SiO2隔离壁(12)，设置于所述蓝光材料与所述红光材料之间；
第二SiO2隔离壁(22)，设置于所述红光材料与所述绿光材料之间；
还包括第三SiO2隔离壁(42)，设置于所述衬底(11)上，将所述蓝光材料分隔成第一蓝光子材料和第二蓝光子材料、将所述红光材料分隔成第一红光子材料和第二红光子材料以及将所述绿光材料分隔成第一绿光子材料和第二绿光子材料，其中，
所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料分布在所述第三SiO2隔离壁(42)的一侧，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料分布在所述第三SiO2隔离壁(42)的另一侧；
所述蓝光正电极包括第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极，所述蓝光负电极包括第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极，均设置于所述第一蓝光子材料或第二蓝光子材料的特定位置处；
所述红光正电极包括第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极，所述红光负电极包括第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极，均设置于所述第一红光子材料或第二红光子材料的特定位置处；
所述绿光正电极包括第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极，所述绿光负电极包括第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极，均设置于所述第一绿光子材料或第二绿光子材料的特定位置处。
2.一种LED灯，包括LED支架，其特征在于，还包括如权利要求1所述的LED芯片，所述LED芯片装载于所述LED支架上。