技术总结
本实用新型提供一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，包括：衬底(11)；蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。本实用新型的有益效果有：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。
技术研发人员：左瑜
受保护的技术使用者：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.12.18