半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及半导体器件，其包括：形成在被粘物上的第一半导体元件；以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜，其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。

技术研发人员：金丁鹤;金熹正;南承希;李光珠;金塞拉;金荣国
受保护的技术使用者：株式会社LG化学
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2018.05.08