半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及半导体器件，包括：通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件；用于包埋粘附体与第一半导体元件之间的空间以及包埋第一半导体元件的粘合层；以及通过粘合层连接至第一半导体元件的第二半导体元件，其中粘合层具有预定的熔体粘度和触变指数。

技术研发人员：金丁鹤;金熹正;金塞拉;李光珠;南承希;金荣国
受保护的技术使用者：株式会社LG化学
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2018.04.17