薄膜晶体管的制作方法

技术特征：

技术总结
一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm2/Vs以上。

技术研发人员：后藤裕史;越智元隆;北山巧;钉宫敏洋
受保护的技术使用者：株式会社神户制钢所
技术研发日：2017.04.03
技术公布日：2018.11.23