技术特征：
技术总结
一种含低熔点镝镍合金的钕铁硼磁体，所述磁体中DyNi合金的质量百分比含量为3‑7％，其制备方法包括：(1)DyNi合金通过电弧炉熔炼，破碎，再磨成小于5微米的细粉；(2)将DyNi合金细粉按质量百分比含量添加到钕铁硼粉末中，混合均匀；(3)将混合均匀的粉末在脉冲磁场和等静压下压制成型，得到压胚；(4)将压胚置入真空烧结炉内，以600‑800℃/h的升温速率升至1010℃，然后以50‑150℃/h升至1060℃，烧结2‑4小时，随后在900℃退火1‑2小时，在650℃退火1‑2小时，冷却，获得本发明磁体。操作方便，工艺条件简便，产品质量稳定，稀土合金用量省，生产成本较低。
技术研发人员：严高林;艾弗雷克斯哈里斯
受保护的技术使用者：严高林
技术研发日：2018.03.30
技术公布日：2018.08.17