技术特征：
技术总结
本发明提供了一种纳米线围栅MOS器件及其制备方法。该方法在形成纳米线堆叠之后，先采用覆盖性很强的化学气相沉积工艺将介电材料填充到相邻的纳米线之间具有凹槽，使介电材料能够具有很强的填充能力，从而包裹所述纳米线的鳍结构，然后再形成跨所述鳍结构的假栅，从而使假栅材料不会填充到纳米线之间的凹槽中，进而通过刻蚀去除凹槽中的介电材料，保证了栅堆叠与纳米线之间更好地接触，进而提高了器件的性能。并且，本申请通过先在纳米线之间的凹槽中填充上述介电材料，然后再形成假栅，有效避免了现有技术中凹槽中残留假栅材料的情况，有效地降低了假栅刻蚀步骤的工艺难度，使之与目前主流量产的鳍结构场效应晶体管制造工艺兼容。
技术研发人员：李俊杰;徐秋霞;周娜;殷华湘;贺晓彬;李俊峰;王文武
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.07.09
技术公布日：2018.12.07