技术特征：
技术总结
该发明涉及一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：提供一槽体，槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在槽体内的流量均匀板，流量均匀板设有若干通孔，并将槽体所围成的空间沿槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入上腔；向下腔内注入刻蚀溶液，刻蚀溶液流经流量均匀板到达上腔，并对待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。本发明的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法具有流量均匀板，通过设置在流量均匀板上的孔对穿过流量均匀板的刻蚀溶液进行分流，使得通过孔进入到上腔的刻蚀溶液被分流成更多股，更多股的刻蚀溶液对上腔内存放的刻蚀溶液进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。
技术研发人员：宋冬门;李君;夏余平;刘开源;王二伟
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.09.28
技术公布日：2019.02.19