基板处理装置的制作方法

本实用新型涉及一种基板处理装置。更具体地，涉及具备用于控制本体内侧表面的温度的本体发热部，通过对本体的形状应用倾斜角，以防止基板处理气体或挥发性物质冷凝于本体的内侧壁，当被冷凝时，能够使被冷凝的物质沿着本体的内侧表面向下流动的基板处理装置。

背景技术：

在制造显示装置或半导体器件时所用的基板处理装置中，能够对用于处理基板的腔室内部供给大量的气体，或者从腔室内部排出大量的气体。出于在基板上形成薄膜，或者在基板的薄膜上形成图案，或者改变腔室内部的气氛等的目的，这种气体可以供给到腔室内部，或者从腔室排出到外部。

尤其是，在柔性基板制造过程中，为了从非柔性基板分离柔性基板，通常注入溶剂，并且所注入的溶剂成分或包含于柔性基板的溶剂成分挥发后，可以排出到腔室外部。

在基板处理工艺中，腔室内部需要保持规定的工艺温度以及工艺压力。但是，由于腔室外部与腔室内部的温度以及压力差，有可能发生溶剂成分或气体冷凝于腔室内壁的现象。被冷凝的气体在重复的基板处理工艺中重复发生蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体发生反应，或者在特定温度环境下变质，从而有可能进一步污染腔室内壁。

结果，现有的基板处理装置由于腔室内壁的被污染的物质在此后的基板处理过程中再蒸发后，流入到基板上，污染基板，因而降低产品的可靠性，减少收率。

另外，现有的基板处理装置由于需要清洗腔室内壁的被污染的物质，或者更换被污染的腔室壁，导致产品的生产费用上升。

技术实现要素：

所要解决的技术问题

本实用新型是为了解决上述现有技术的诸多问题而提出的，其目的在于，提供一种能够使本体内壁保持规定的温度以防止气体冷凝于本体内壁的基板处理装置。

另外，本实用新型的目的在于，提供一种改变本体形状以使冷凝于腔室内壁的物质向下流动的基板处理装置。

另外，本实用新型的目的在于，提供一种通过同时使用温度控制部以及本体发热部，以使本体内壁迅速保持在所需温度上的基板处理装置。

另外，本实用新型的目的在于，提供一种保持腔室内壁不被污染以提高产品的可靠性以及收率的基板处理装置，以及挥发性物质冷凝防止方法。

解决技术问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，该基板处理装置包括：本体，包括提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。

所述本体的上部可以具有横截面积从上部下端到上部上端逐渐减小的形状。

所述本体的最上端角部和所述本体的最下端角部中的至少一处上可以进一步配置有所述本体发热部。

所述本体的正截面的形状可以呈六边形。

所述本体的上部或所述本体的下部可以呈棱锥状。

所述物质在所述本体内侧表面凝集并且沿着所述内侧表面向下流动，从而可以被捕集到所述本体的下端。

所述本体发热部可以将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面。

还包括温度控制部，所述温度控制部配置于所述本体的外侧表面，用于控制所述本体内侧表面的温度，其中，在所述本体的正面形成有使所述基板出入的出入口，并且设置有用于开闭所述出入口的门，在所述门上可以设置有用于调节所述门的温度的单元。

所述温度控制部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面，用于调节所述门的温度的单元将所述门与所述出入口相接的所述本体的部分的温度保持在50℃至250℃，以防止所述物质冷凝于所述门与所述出入口相接的所述本体的部分。

所述物质为挥发性物质，可以是在50℃至250℃下被气化的物质。

所述发热部以及所述本体发热部可以包括从所述腔室的一侧表面连通到另一侧表面的棒状的发热体。

所述基板处理装置还可以包括：气体供给部，与所述腔室的外部一侧表面连接，用于向所述腔室内供给基板处理气体；以及气体排出部，与所述腔室的外部另一侧表面连接，用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体。

所述气体供给部和所述气体排出部中的至少一个还可以具有用于排出所述物质的泄口。

在所述腔室的至少一个侧表面上可以形成有多个物质排出孔。

有益效果

根据如上构成的本实用新型，能够使本体内壁保持规定的温度以防止气体冷凝于本体内壁。

另外，根据本实用新型，改变本体形状以使冷凝于腔室内壁的物质向下流动。

另外，根据本实用新型，通过同时使用温度控制部以及本体发热部，以使本体内壁迅速保持在所需温度。

另外，根据本实用新型，保持腔室内壁不被污染以提高产品的可靠性以及收率。

附图说明

图1是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图。

图2是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的主视剖视图。

图3是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的本体形状的示意图。

图4是示出本实用新型的一实施例涉及的温度控制部的动作的示意图。

图5是本实用新型的一实施例涉及的门和出入口的局部放大立体图。

图6a至图6b是示出本实用新型的一实施例涉及的气体供给部以及气体排出部的剖视图。

图7是示出在本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置上形成有排出孔的状态的立体图。

图8是示出本实用新型的另一实施例涉及的基板处理装置的本体形状的示意图。

附图标记

100：本体

101：腔室

110：门

120：加强筋

130：排出单元

140：排出孔

200：发热部

210：主发热部

220：辅助发热部

230：门发热部

250：本体发热部

300：气体供给部

400：气体排出部

500：温度控制部

BC：本体下部

BC1：本体下部上端

BC2：本体下部下端

TC：本体上部

TC1：本体上部上端

TC2：本体上部下端

a、b：角度

具体实施方式

以下对于本实用新型的详细说明将参照附图，该附图示出了能够实施本实用新型的特定实施例。详细说明这些实施例，以使本领域技术人员能够充分地实施本实用新型。应该理解的是，虽然本实用新型的各种实施例不同，但是不必相互排斥。例如，在此记载的与一实施例有关的特定形状、结构以及特性在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，能够通过其他实施例实现。还应该理解的是，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以改变每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或布置。因此，以下详细说明不应被视为限制意义，如果适当地说明本实用新型的范围，则仅由与其多个权利要求所主张的等同的全部范围和所附的权利要求进行限制。在附图中，相似的附图标记在多个方面表示相同或类似的功能，并且，为了方便起见，也可以夸张地表现长度、面积、厚度及其形状。

在本说明书中，基板可以被理解为包括用于LED、LCD等显示装置的基板、半导体基板、太阳能电池基板等，优选地，可以被理解为用于柔性(Flexible)显示装置的柔性基板。

另外，在本说明书中，基板处理工艺可以被理解为包括沉积工序、热处理工序等，优选地，可以被理解为在非柔性(Non-Flexible)基板上形成柔性基板，在柔性基板上形成图案，分离柔性基板等工序。

另外，在本说明书中，基板上的物质可以被理解为包括与基板的表面接触的物质和不与基板的表面接触但存在于基板的上侧的物质。

下面，将参照附图详细说明本实用新型的实施例涉及的在线(in-line)热处理装置。

图1是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图，图2是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的主视剖视图，图3是示出本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置的本体形状的示意图。

参照图1至图3，本实施例涉及的基板处理装置可以包括本体100、发热部200以及本体发热部250。

本体100在内部形成用于装载并处理基板(未图示)的密闭空间即腔室101。本体100的材料可以是石英(Quartz)、不锈钢(SUS)、铝(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化硅(Silicon carbide)以及氧化铝(Aluminium oxide)中的至少任意一种。

多个基板可以配置于腔室101内部。多个基板可以分别以一定间隔配置，并且可以被基板支架(未图示)支撑，或者放置于晶舟(未图示)后，配置于腔室101内部。

在本体100的一表面(例如，正面)，可以形成有用于装载/卸载基板的通道即出入口115。出入口115可以仅形成于本体110的一表面(例如，正面)，也可以形成于相反一表面(例如，背面)。

门110可以设置于本体100的一表面(即，形成有出入口115的表面)。门可以沿着前后方向、左右方向或上下方向可滑动地设置。门110可以开闭出入口115，当然，根据是否开闭出入口115，腔室101也可以被开闭。另外，在门110与本体100的形成有出入口115的表面之间可以插入O型圈等密封部件116(参照图5)，以使出入口完全被门110所密封。

另一方面，在本体100的外侧表面上可以结合加强筋120。在工艺过程中，本体100有可能在内部受到强大压力或高温的影响而受损或发生变形。因此，可以将加强筋120结合在本体100的外侧表面上，以提高本体100的耐久性。根据需要，也可以仅在特定外侧表面或外侧表面上的一部分结合加强筋120。

发热部200可以包括：主发热部210，加热腔室101内部，以形成基板处理气氛，并且用于直接加热基板，以及辅助发热部220，用于防止腔室101内部的热损失。

主发热部210可以在与基板(未图示)的装载/卸载方向垂直的方向即本体100的前后方向上以一定间隔配置，并且，可以沿着基板的层叠方向在垂直的方向上以一定间隔配置。辅助发热部220可以在与基板(未图示)的装载/卸载方向平行的方向即本体100的左右方向上，在腔室101内壁，沿着基板的层叠方向在垂直的方向上以一定间隔配置。

主发热部210可以包括多个发热体211以及设置于各个发热体211的两端的端子212，辅助发热部220也可以同样包括多个发热体221以及设置于各个发热体221的两端的端子222。根据本体100的尺寸、基板的尺寸以及数量，可以不同地改变发热体211、221的数量。

发热体211、221呈从腔室101的一侧表面连通到另一侧表面的棒(bar)状，可以是在石英管内部插入有发热物质的形状。作为一例，主发热部210的发热体211可以从腔室101的左侧表面连通至右侧表面，辅助发热部220的发热体221可以从除了出入口115部分以外的腔室101的正面连通至背面。端子212、222从外部电源(未图示)接收电力，以使发热体211、221发热。

因此，基板10的整个表面可以通过配置于上部以及下部的发热部200均匀地被加热，从而提高了基板处理工艺的可靠性。

现有的基板处理装置的本体通常具有立方体或长方体形状。由于本体的前后左右侧表面垂直于地面，即使在该侧表面上冷凝有物质，被冷凝的液滴(或被冷凝的气体、物质)也由于重力的作用而可以向下流动。但是，由于本体的上部表面以及下部表面平行于地面，如果在该表面上冷凝有物质，则不会沿着本体内表面向下流动。即，在本体下部表面上残留有液滴，其无法沿着本体下部表面的排出口排出。此时，在重复冷凝有物质的基板处理工艺中，通过重复蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体发生反应，或者在特定的温度环境下变质，从而可以进一步污染腔室内壁。

因此，本实用新型的本体100的下部BC(参照图2以及图3)具有横截面积从下部BC的上端BC1到下部BC的下端BC2逐渐减小的形状。横截面为x-y平面，是指本体100的下部BC上端BC1的x-y平面的宽度大于本体100的下部BC下端BC2的x-y平面的宽度。换言之，本体的下部表面不平行于地面，本体100的前后左右侧表面100a与用于形成本体100的下部BC的至少一个表面100b不垂直，而是倾斜地形成。

本体100的前后左右侧表面100a与用于形成本体100的下部BC的至少一个表面100b构成的角度(倾斜角)a可以是90°至180°。只是，如果过于接近90°，则实质上与现有的六面体形状的本体100相同地在下部表面有可能残留有被冷凝的液滴，如果过于接近180°，则有可能发生本体100的高度过高的问题，因而构成的角度a优选100°至160°左右，更优选120°。

本体100下部BC的形状也可以为棱锥(pyramid)状，考虑到本体100的侧表面100a由前后左右四个表面构成，本体100的下部BC的形状可以是四棱锥状。

或者，也可以不是棱锥，而是本体100的正截面具有六边形形状，以满足所述本体100的形状条件。即，可以具有将六棱柱平放的形状。在本说明书中，假设本体100的正截面为六边形的形状，进行说明。本体100的正截面为六边形的形状是指后述的本体100上部TC的形状也具有与下部BC相同的形状。

另一方面，本体100内表面的表面粗糙度Ra可以形成为1.0μm以下，以使被冷凝的液滴更好地向下流动。通过抛光，可以控制表面粗糙度，当表面粗糙度Ra为1.0μm以下时，可以期待本体100内表面上的热反射效果。

由于本体100具有横截面积从下部BC的上端BC1到下部BC的下端BC2逐渐减小的形状，即，本体100的前后左右侧表面100a与本体100的下部表面100b不垂直，而是倾斜地形成，因而冷凝于本体100的内表面的液滴可以被捕集到本体100的下部BC。冷凝于本体100的前后左右内侧表面的液滴由于重力而向下流动，在本体100的前后左右侧表面100a与下部表面100b的边界上，由于重力而可以沿着倾斜形成的下部表面100b连续地向下流动。因此，液滴可以被捕集到本体100的下端。被捕集的液滴通过形成于本体100下端的排出单元130、泵送单元(未图示)向外部排出后，被再利用或废弃。

另一方面，本体100的上部TC可以具有横截面积从上部TC下端TC2到上部TC上端TC1逐渐减小的形状。换言之，本体100的上部表面不平行于地面，并且本体100的前后左右侧表面100a与用于形成本体100的上部TC的至少一个表面100c不垂直，可以倾斜地形成。

本体100的前后左右侧表面100a与用于形成本体100的上部TC的至少一个表面100c构成的角度(倾斜角)b可以是90°至180°。只是，如果过于接近90°，则实质上与现有的六面体形状的本体100相同地在上部表面有可能残留有被冷凝的液滴，如果过于接近180°，则有可能发生本体100的高度过高的问题。尤其是，如果由于接近90°而被冷凝的液滴在残留于本体100的上部表面后，在基板处理工艺中坠落到基板上，则基板可能被污染。因此，本体100的前后左右侧表面100a与用于形成本体100的上部表面的至少一个表面100c构成的角度b优选100°至160°左右，更优选120°。

本体100上部TC的形状可以为棱锥(pyramid)状，考虑到本体100的侧表面100a由前后左右四个表面构成，本体100的上部TC的形状可以是四棱锥状。

本体100具有横截面积从上部TC的下端TC2到上部TC的上端TC1逐渐减小的形状，即，本体100的前后左右侧表面100a与本体100的上部表面100c不垂直，而是倾斜地形成，因而冷凝于用于构成本体100的上部TC的至少一个表面100c的内侧的液滴可以沿着本体100的内侧向下流动。即，冷凝于用于构成本体100的上部TC的至少一个表面100c的内侧的液滴没有直接坠落到基板上，而是沿着内侧向下流动，通过本体100的前后左右内侧表面100a后，可以流动到本体100的下端并被捕集。被捕集的液滴通过形成于本体100下端的排出单元130、泵送单元(未图示)向外部排出后，被再利用或废弃。

另一方面，本实用新型的基板处理装置在本体100的表面与表面相接的角部配置有本体发热部250(250a、250c、250d)。更具体地，在本体100的内侧表面100a与本体100的上部表面100c相接的边界的角部、本体100的内侧表面100a与本体100的下部表面100b相接的边界的角部中的至少一处上，配置有本体发热部250c、250d。

另外，当本体100的正截面的形状为六边形时，本体100的最上端角部(上部TC的上端TC1角部)或者最下端角部(下部BC的下端BC2角部)上，可以配置有本体发热部250a、250b。

相对于加热腔室101内部，本体发热部250更侧重于加热本体100的内侧表面100a、100b、100c，从而可以起到调节本体100的内壁的温度的作用。通过调节本体100的内壁的温度，后述的挥发性物质没有冷凝于本体100的内壁，而是可以使其以气态存在。优选地，本体发热部250可以使本体100的内壁温度保持在50℃至250℃。

尤其是，当横截面积从本体100的下部BC的上端BC1到下部BC的下端BC2逐渐减小的形状、横截面积从本体100的上部TC的下端TC2到上部TC的上端TC1逐渐减小的形状、本体100的正截面的形状为六边形时，热量无法均匀传递到角部，因此会冷凝有大量的挥发性物质。因此，优选地，本体发热部250集中配置于本体100的角部或者弯曲部分。

此外，在本体100的内侧表面中，由于具有大面积而挥发性物质冷凝于内壁的可能性高的上侧表面100c、下侧表面100b部分上，可以进一步配置本体发热部250。另外，可以在每个角部配置一个本体发热部250，也可以集中配置多个本体发热部250。

与发热部200相同，本体发热部250呈从本体100的一侧表面连通到另一侧表面的棒(bar)状，可以是在石英管内部插入有发热物质的形状，并且可以包括发热体251以及端子252。作为一例，本说明书示出本体发热部250沿着与基板10的装载/卸载方向垂直的方向(与主发热部210相同的方向)配置，但是并非一定限制于此，配置在角部的范围内能够自由地配置。

再次参照图1以及图2，基板处理装置还可以包括气体供给部300以及气体排出部400。

气体供给部300与腔室101(或本体100)的外部一侧表面(例如，左侧表面)连接，气体排出部400可以与腔室101(或本体100)的外部另一侧表面(例如，右侧表面)连接。

气体供给部300可以提供向腔室101的内部供给基板处理气体的通道。气体供给部300可以包括：气体供给管320，与气体贮藏部(未图示)连接，用于接收基板处理气体；以及多个气体吐出管310，在气体供给管320上，与之垂直并且以一定间隔形成。气体吐出管310贯穿本体100后，连接至腔室101内部，并且，基板处理气体通过形成于气体吐出管310的端部的气体吐出孔311供给至腔室101内部。

气体排出部400可以提供将腔室101内部的基板处理气体向外部排出的通道。气体排出部400可以包括：气体排出管420，与外部的气体排出设施(未图示)连接，用于排出基板处理气体；以及多个气体排出管410，在气体排出管420上，与之垂直并且以一定间隔形成。气体排出管410贯穿本体100后，连接至腔室101内部，并且，气体可以通过形成于气体排出管410的端部的气体排出孔411从腔室101内部排出至外部。

优选地，当多个基板10收纳于腔室101内时，气体吐出孔311(或气体吐出管310)以及气体排出孔411(或气体排出管410)分别位于配置在腔室101内的基板与在上部或下部邻接的基板之间的间隔内，以使基板处理气体均匀地供给给基板，并且容易地吸入基板处理气体后，向外部排出。

根据本实用新型的一实施例，对于基板处理装置处理用于柔性显示装置的柔性基板的工序说明如下。

通常，柔性基板的制造过程可以分成如下工序：在非柔性基板上，形成柔性基板；在柔性基板上，形成图案；以及从非柔性基板上分离柔性基板。

在玻璃、塑料等非柔性基板上形成由聚酰亚胺(Polyimide)形成的膜，通过热处理，使其固化以后，对于用于粘合非柔性基板与柔性基板的物质注入溶剂，以降低粘合力，或者分解粘合物质，从而可以从非柔性基板分离柔性基板，从而可以完成柔性基板。

此时，注入的溶剂成分或者在柔性基板的形成过程中包含于柔性基板中的溶剂成分挥发后，通过气体排出部400排出至腔室101外部，但是由于腔室101外部与腔室101内部的温度以及压力差，腔室101内壁的规定的部分的温度低，导致上述物质无法挥发而被冷凝。结果，冷凝于腔室101内壁的溶剂成分污染腔室101，或者有可能在后续工序中污染基板10。作为一例，存在于基板10的至少一部分表面上的物质为诸如溶剂的挥发性物质，可以是在50℃至250℃下被气化的物质。优选地，这种物质可以是N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP：n-methyl-2-pyrrolidone)，也可以是异丙醇(IPA)、丙酮(Acetone)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA：Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)等挥发性物质。

因此，当包含溶剂的腔室101内的气体冷凝于腔室101内壁时，本实用新型的基板处理装置在本体100的形状上适用倾斜角a、b，以使被冷凝的液滴不会残留于腔室101内壁(或本体100内壁)，而是向下流动，从而可以在本体100的下端进行捕集。

本实用新型通过改变本体100的形状的简单的结构，可以使被冷凝的物质向外部排出，因而保持腔室内壁不被污染，从而可以提高产品的可靠性以及收率。

而且，保持本体100内壁温度，避免气体被冷凝，以使被冷凝的液滴不会进一步残留于腔室101的内壁，而是以气态排出到外部。通过在更多地集中有被冷凝的液滴的本体100的角部配置本体发热部250，使被冷凝的液滴挥发成气态，因而保持腔室内壁不被污染，从而可以提高产品的可靠性以及收率。

另一方面，根据需要，本实用新型的基板处理装置也可以在基板处理工艺结束以后或者在基板处理工艺中，将用于控制本体100壁或者腔室101内部的温度的温度控制部500设置于本体100的外侧表面后使其运行。

优选地，温度控制部500与本体壁的外侧表面邻接，或者可以按照规定距离隔开配置，并且，以之字形配置内部可以流动有热媒或制冷剂的管等。温度控制部500可以将本体100的内壁温度保持在规定的温度，以防止在基板处理工艺中从基板10上挥发的物质、供给到腔室101后排出的物质等冷凝于本体100的内壁。优选地，可以将本体100的内壁温度保持在50℃至250℃。

温度控制部500能够配置于本体100整个外侧表面上，但是在达到将本体100的内壁温度保持在规定的温度的本实用新型的目的范围内，也可以在本体100的一部分外侧表面上省略温度控制部500的配置。

图4是示出本实用新型的一实施例涉及的温度控制部500的动作的示意图。

参照图4，在温度控制部500、本体壁加热模块600以及本体壁冷却模块700中间可以设置有三通阀(3way valve)3WV。本体壁加热模块600可以理解为是由于包括能够瞬间提升冷却水(PCW：Process Cooling Water)的温度的热交换器而对冷却水加热后进行供给的装置，本体壁冷却模块700可以理解为是用于供给冷却水的装置。

作为一例，在基板处理工艺时，腔室101(或本体100)内部的基板处理温度可以按照80℃到150℃、150℃到250℃、250℃到350℃等分阶段上升。基板处理初期，由于腔室101内部的基板处理温度为80℃左右，本体10内壁的温度可以是相对更低的60℃至80℃，蒸发温度范围为80℃至150℃左右的挥发性物质之一的NWP在本体100内壁被冷凝的可能性高。因此，在基板处理初期，通过控制三通阀3WV，对冷却水进行加热后从本体壁加热模块600供给(P1)至温度控制部500，从而可以将本体壁的温度保持在NWP的最低蒸发温度80℃以上。

与使用温度控制部500相比，本体发热部250可以更快地控制本体壁的温度，因而可以更为有效地防止挥发性物质冷凝于本体100内壁。即，通过控制本体发热部250，可以将本体壁的温度保持在NWP的最低蒸发温度80℃以上。当然，也可以组合使用本体发热部250以及温度控制部500。

当腔室101内部的基板处理温度为300℃以下时，运行本体壁加热模块600，一旦腔室101内部的基板处理温度超过300℃，则通过控制三通阀3WV，从本体壁冷却模块700向温度控制部500供给(P2)冷却水，从而可以将本体壁的温度保持在NWP的最低蒸发温度80℃以上。当然，一旦腔室101内部的基板处理温度超过300℃，则不必非得向温度控制部500供给冷却水，也可以将本体壁的温度保持在80℃以上，但是一旦本体壁的温度上升得过高，超出挥发性物质的蒸发温度范围80℃至250℃，则有可能发生本体壁的扭曲、破损问题，因而需要通过本体壁冷却模块700向温度控制部500供给适当的冷却水。换言之，一旦腔室101内部的基板处理温度为300℃以下，则运行本体壁加热模块600，一旦腔室101内部的基板处理温度超过300℃，则通过运行本体壁冷却模块700，可以使本体100的内壁的温度保持在50℃至250℃。

图5是本实用新型的一实施例涉及的门110和出入口115的局部放大立体图。

参照图5，在门110上可以设置有用于调节门110的温度的单元。下面，将作为线状加热器、板状加热器的门发热部230假设为门110的温度调节单元进行说明，但是并非限定于此，可以适用用于调节门110的温度的公知技术。

门110嵌入有密封部件116，以密封出入口115，可以设置于本体100的一表面(即，形成有出入口115的表面)。门110与出入口115相接的本体100的部分IC即界面部分IC由于腔室101外部与腔室101内部的温差而有可能冷凝有更多的气体、物质等。当然，可以使冷凝的液滴沿着本体100的内侧表面向下流动，但是由于量大，液滴残留在界面部分IC上的可能性高。

因此，通过在门110上设置用于调节门110的温度的单元即门发热体230，可以产生热量，以使门110与出入口115相接的本体100的部分IC的温度保持在50℃至250℃。由于保持在50℃至250℃的温度，气体、物质不会冷凝于腔室101内壁，而是可以被气化。从而，能够防止液滴残留可能性高的门110与出入口115相接的本体100的部分IC上的污染。

另一方面，本实用新型的基板处理装置还可以包括用于排出被冷凝的气体的单元。下面，将参照图6a至图6b以及图7进行说明。

图6a至图6b是示出本实用新型的一实施例涉及的气体供给部300以及气体排出部400的剖视图。图6a示出气体供给部300，图6b示出气体排出部400。

在与腔室101的外部一侧表面(例如，左侧表面)以及外部另一侧表面(例如，右侧表面)连接的气体供给部300和气体排出部400，由于受到外部低温影响，气体有可能容易被冷凝。被冷凝的气体冷凝于气体供给部300的管上，然后在基板处理工艺时，有可能随着基板处理气体的供给而一同吐出到腔室101内部，并污染基板。

因此，如图6a所示，气体供给部300还可以具备能够排出被冷凝的气体(或被冷凝的挥发性物质)的泄口(drain port)330。泄口330可以是仅排出被冷凝的液滴的通道，也可以具备通过与泵(未图示)等相连接而可以吸入空气的抽吸(suction)功能。可以通过气体供给管320供给(g)气体，并且通过泄口330排出(d)冷凝于气体供给部300内部的气体等。

与气体供给部300相同，气体排出部400也可以在气体排出管420上连接有泄口(未图示)。

另一方面，如图6b所示，气体排出部400起到向外部排出(g)腔室101内部的气体的作用，因而无需另行配备泄口(未图示)，以气体排出管420的端部430兼作泄口的方式，向外部排出(g)腔室101内部的气体，同时向外部一同排出冷凝于气体排出部400内部的气体等。

图7是示出在本实用新型的一实施例涉及的基板处理装置上形成有排出孔140(140a、140b、140c)的形状的立体图。

参照图7，在腔室101的至少一个侧表面，具体而言，在除了参照图5说明的用于配置气体供给部300以及气体排出部400的腔室101的左侧表面以及右侧表面以外的侧表面上，可以形成有多个排出孔140(140a、140b、140c)。排出孔140与配置在外部的泵送单元(未图示)连接，能够有效地排出腔室101内部的被冷凝的物质。

尽管冷凝于本体100的内侧100a、100b、100c的液滴依靠重力而沿着内侧100a、100b、100c向下流动，但是有可能发生残留在本体100的内侧表面100a、100b、100c上的状况。因此，通过在内侧表面100a、100b、100c上形成多个排出孔140，即使发生气体被冷凝后残留在腔室101内壁上的状态，也可以通过排出孔140向外部排出，从而可以更为有效地防止腔室101内壁的污染，并且进一步提高产品的可靠性以及收率。

图8是示出本实用新型的另一实施例涉及的基板处理装置的本体100形状的示意图。

只要本体100的下部BC具有横截面积从下部BC上端BC1到下部BC下端BC2逐渐减小的形状，本体100的上部TC具有横截面积从上部TC下端TC2到上部TC上端TC1逐渐减小的形状，以使被冷凝的液滴依靠重力而沿着本体100的内侧向下流动，则对于本实用新型的基板处理装置的形状没有限制。正截面可以呈六边形，也可以如图8所示形成为八边形或其以上的多边形。

并且，如果正截面形成为六边形以上的多边形，则本体100的面与面相接的角部可以分别配置本体发热部250(250a、250b、250c、250d)。

如上所述，本实用新型对于优选的实施例进行图示说明，但是不限于上述实施例，在不超出本实用新型的精神的范围内，本领域技术人员能够对本实用新型进行多种变形以及变更。这种变形例以及变更例也应当看作是本实用新型和权利要求书的范围内。