技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成若干鳍部；在相邻所述鳍部之间形成隔离结构；在所述衬底及所述鳍部上形成掩膜层；去除所述第一区域的所述掩膜层，形成开口；沿所述开口去除所述第一区域的所述隔离结构；去除所述掩膜层；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一区域。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅层或光阻层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的方法为化学气相沉积法。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：在所述掩膜层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行光刻，形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的所述掩膜层；去除所述图形化的光刻胶层，形成开口。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述掩膜层的方法为干法刻蚀。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一区域的所述隔离结构的工艺为干法刻蚀。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括cf4、c4f8或chf3的其中一种或多种。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成隔离结构过程中，还包括：向所述鳍部及所述鳍部下的所述衬底内注入第一导电离子，形成漂移区；向所述漂移区一侧的所述鳍部及所述鳍部下的所述衬底内注入第二导电离子，形成第一掺杂区。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构后，还包括：在所述栅极结构一侧的所述鳍部内注入第二导电离子，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述漂移区上；在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源区和漏区，所述第二掺杂区位于所述栅极结构和所述漏区之间。10.如权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电离子和所述第二导电离子类型相反。11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电离子为n
型离子，所述第二导电离子为p型离子。12.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；鳍部，位于所述衬底上；隔离结构，位于所述第二区域内的相邻所述鳍部之间；栅极结构，横跨所述鳍部，且所述栅极结构覆盖所述第一区域。