技术总结
一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成若干鳍部；在相邻所述鳍部之间形成隔离结构；在所述衬底及所述鳍部上形成掩膜层；去除所述第一区域的所述掩膜层，形成开口；沿所述开口去除所述第一区域的所述隔离结构；去除所述掩膜层；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一区域。采用本发明方法形成的半导体结构，可以降低半导体器件的导通电阻，提高击穿电压，从而提高半导体器件的性能。而提高半导体器件的性能。而提高半导体器件的性能。
技术研发人员：陈德艳 李茂 郑大燮
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2019.07.25
技术公布日：2021/2/1