1.一种磁性器件，具备：
设置于基板的上方的第1磁性体；
所述基板与所述第1磁性体之间的第2磁性体；
所述第1磁性体与所述第2磁性体之间的非磁性体；
设置于所述基板与所述第2磁性体之间并包括非晶层的第1层；以及
设置于所述非晶层与所述第2磁性体之间并包括结晶层的第2层。
2.根据权利要求1所述的磁性器件，
所述第2磁性体包括第1磁性层、所述第1磁性层与所述第2层之间的第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层。
3.根据权利要求1或2所述的磁性器件，
所述第2磁性体具有saf结构。
4.根据权利要求1所述的磁性器件，
所述非晶层包括硼化物层。
5.根据权利要求1所述的磁性器件，
所述结晶层包含钌和铂中的任一方。
6.根据权利要求1或5所述的磁性器件，
所述结晶层是钌和铂中的任一方与钽的层叠体。
7.根据权利要求1所述的磁性器件，
所述非晶层的膜厚为所述结晶层的膜厚以上。
8.根据权利要求1或7所述的磁性器件，
所述非晶层的膜厚为0.5nm以上，
所述结晶层的膜厚为0.5nm以上且2nm以下。