1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
外延层，为第一掺杂类型，位于所述半导体衬底的第一表面上；
阱区，为第二掺杂类型，位于所述外延层上，所述阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；
掺杂区，为第一掺杂类型，自所述阱区延伸至所述外延层中，从而在所述阱区中限定出至少一个阱区岛；以及
隔离层，至少部分位于所述阱区与所述掺杂区之间，用于分隔所述阱区与所述掺杂区，
其中，所述掺杂区接收控制电压，当所述控制电压满足预定范围时，每个所述阱区岛中形成与所述阱区反型的沟道区，所述沟道区靠近所述隔离层且与所述外延层接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第一电极，与所述半导体衬底和/或所述外延层电连接；
第二电极，与所述阱区电连接；以及
第三电极，与所述掺杂区电连接以提供所述控制电压。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的至少部分位于所述掺杂区与所述外延层之间，用于使所述外延层与所述掺杂区电隔离。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极位于所述半导体衬底的第二表面上，所述半导体衬底的第二表面与所述第一表面相对。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，覆盖所述阱区、所述掺杂区以及所述隔离层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极与第三电极位于所述绝缘层上，所述半导体结构还包括：
第一电连接结构，贯穿所述绝缘层并延伸至所述阱区中，所述第一电连接结构与所述第二电极电相连；以及
第二电连接结构，贯穿所述绝缘层并延伸至所述掺杂区中，所述第二电连接结构与所述第三电极电相连。
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，当所述控制电压满足所述预定范围时，所述沟道区的多数载流子浓度随所述控制电压变化且高于所述阱区的多数载流子浓度。
8.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂区包括第一掺杂类型的多晶硅。
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
10.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底为第一掺杂类型，且掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
11.根据权利要求2-10任一所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂类型选自p型掺杂与n型掺杂中的一种，所述第二掺杂类型选自p型掺杂与n型掺杂中的另一种。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个如权利要求2至11任一项所述的半导体结构，其中，所述多个半导体结构呈阵列排布。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述多个半导体结构的所述第一电极相连，所述多个半导体结构的所述第二电极相连。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述多个半导体结构共用同一所述衬底，从而共用所述第一电极。
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述多个半导体结构的所述第二电极互连以形成第一导电区。
16.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，在每个所述半导体结构中，
所述掺杂区包括延伸部，所述第三电极位于所述延伸部上方并通过所述延伸部与整个所述掺杂区电连接，多个所述阱区岛以及所述延伸部按照第一方向依次排列。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述多个半导体结构按照垂直于所述第一方向的第二方向排列，所述多个半导体结构的所述第三电极互连形成第二导电区。