技术总结
本申请公开了一种半导体结构与半导体器件，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于半导体衬底的第一表面上；阱区，为第二掺杂类型，位于外延层上，阱区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；掺杂区，为第一掺杂类型，自阱区延伸至外延层中，从而在阱区中限定出至少一个阱区岛；以及隔离层，至少部分位于阱区与掺杂区之间，用于分隔阱区与掺杂区，其中，掺杂区接收控制电压，当控制电压满足预定范围时，每个阱区岛中形成与阱区反型的沟道区，沟道区靠近隔离层且与外延层接触。从而将之前决定PN结击穿电压的因素——外延层浓度，变成了阱区浓度，进而改变了PN结的击穿电压。
技术研发人员：周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;牛玉玮;郭艳华
受保护的技术使用者：北京燕东微电子科技有限公司
技术研发日：2019.03.27
技术公布日：2020.01.17