1.一种半导体存储装置，其具有：
多个第一电极层，沿第一方向进行层叠；
多个第二电极层，沿所述第一方向进行层叠；
第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；
第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；
连接部，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及
岛状的垫片膜，包围所述连接部，
所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，
所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
被所述垫片膜包围的所述连接部在与所述第一方向正交的第二方向上的最小宽度，比贯通所述多个第一电极层的部分处的所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度窄。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述垫片膜在与所述第一方向正交的第二方向上的宽度，比所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度宽。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
与所述第一方向正交的截面处的所述第一柱状体具有大致圆形的形状，所述截面处的所述第一柱状体的中心以及与所述第一方向正交的截面处的所述垫片膜的中心大致一致。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第一柱状体在贯通所述多个第一电极层中的与所述连接部最远的第一电极层的部分，具有比所述连接部的所述最小宽度窄的所述第二方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第二柱状体的所述第二方向上的宽度小于所述第一柱状体的所述第二方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，
所述第一柱状体及所述连接部包括沿所述第一方向延伸的绝缘性核心和包围所述绝缘性核心并沿所述第一方向延伸的半导体膜，
所述第一柱状体处的所述半导体膜的外径大于所述连接部处的所述半导体膜的外径的最小值。
8.一种半导体存储装置，其具有：
多个第一电极层，沿第一方向层叠；
多个第二电极层，沿所述第一方向层叠；
第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；
第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层，与所述第一柱状体连接；以及
岛状的阻挡膜，包围所述第一柱状体的与所述第二柱状体连接的端部，
所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，
所述阻挡膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间，
所述阻挡膜包括第一部分以及位于所述第一柱状体和所述第一部分之间的第二部分，所述第一部分的所述第一方向上的第一宽度小于所述第二部分的所述第一方向上的第二宽度。
9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，
所述多个第一电极层包括设置在最接近所述阻挡膜的位置的第一电极层，
所述多个第二电极层包括设置在最接近所述阻挡膜的位置的第二电极层，
所述阻挡膜具有面对所述第一电极层的第一表面，
所述阻挡膜具有沿着所述第一表面从所述第一柱状体朝向所述阻挡膜的外缘的第二方向上的所述第一表面的第一长度，和位于所述第一表面和所述第二电极之间的部分的所述第二方向上的第二长度，
所述第一长度比所述第二长度长。
10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，
所述半导体存储装置还具有：
第一绝缘膜，设置于所述多个第一电极层中的相邻的两个第一电极层之间；以及
第二绝缘膜，设置于所述多个第二电极层中的相邻的两个第二电极层之间，
所述阻挡膜包含与所述第一绝缘膜的材料及所述第二绝缘膜的材料不同的材料。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，
所述阻挡膜包含金属氧化物。
12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，
所述阻挡膜包含半导体。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其中，
所述半导体存储装置还具有设置于所述第二电极层和所述第三电极层之间的第三绝缘膜。
14.一种半导体存储装置，其具有：
多个第一电极层，沿第一方向层叠；
多个第二电极层，沿所述第一方向层叠；
多个第一柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；
多个第二柱状体，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层，并与所述多个第一柱状体分别连接；以及
阻挡膜，包围所述多个第一柱状体的与所述多个第二柱状体连接的端部，
所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，
所述阻挡膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间，
所述多个第一电极层包括设置在最接近所述阻挡膜的位置的第一电极层，
所述多个第二电极层包括设置在最接近所述阻挡膜的位置的第二电极层，
所述阻挡膜在所述第一电极层和所述第二电极层之间，配置于所述多个第一柱状体和所述多个第二柱状体连接的区域。
15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其中，
所述阻挡膜包括：第一部分，位于所述多个第一柱状体中的相邻的两个第一柱状体之间；第二部分，位于所述两个柱状体中的一个柱状体和所述第一部分之间；以及第三部分，位于所述两个柱状体中的另一个柱状体和所述第一部分之间，
所述第一部分的所述第一方向上的第一厚度，比所述第二部分的所述第一方向上的第二厚度及所述第三部分的所述第一方向上的第三厚度薄。
16.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其中，
所述阻挡膜包含金属氧化物。