入部分上的有机发光层极其薄甚至不能形成的情况，保证了设于所述阳极70上的有机发光层71是连续且膜厚均匀的，从而能够在所述有机发光层71上设置阴极72后，防止阴极72与阳极70之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光；同时增加所述连接电极80可改善阳极70与TFT90的漏极96之间的接触阻抗，提高OLED显示基板的性能。
[0049]请参阅图3，同时结合图2，本发明还提供一种OLED显示基板的制造方法，包括以下步骤:
[0050]步骤1、提供一基板10，在所述基板10上形成TFT90。
[0051 ] 具体的，所述步骤I包括:
[0052]步骤11、在所述基板10上沉积一层缓冲层20，在所述缓冲层20上形成包括沟道区912、分别设于所述沟道区912两侧的源极区914与漏极区916的半导体层91 ;
[0053]步骤12、在所述半导体层91上形成栅极绝缘层30，在所述栅极绝缘层30上形成位于所述沟道区912上方的栅极94，在所述栅极94与栅极绝缘层30上沉积层间绝缘膜40 ；
[0054]步骤13、对所述层间绝缘膜40与栅极绝缘层30进行图案化处理，分别在与所述源极区914、漏极区916相对应的位置形成贯穿所述层间绝缘膜40与栅极绝缘层30的过孔；再在所述层间绝缘膜40上形成源极95与漏极96，所述源极95与漏极96分别通过一过孔接触所述源极区914、漏极区916。
[0055]步骤2、在所述TFT90上形成钝化层50，在所述钝化层50上形成平坦层60。
[0056]步骤3、对所述平坦层60与钝化层50进行图案化处理，形成贯穿所述平坦层60与钝化层50的接触孔81。
[0057]具体的，所述钝化层50可以采用含硅的绝缘膜作为材料，优选为氮化硅膜或氧化硅膜；所述平坦层60的材料可以选用有机树脂膜，如聚酰亚胺树脂膜，丙烯酸类树脂膜等，另外也可以选择无机膜；
[0058]所述接触孔81形成在与所述漏极96相对应的位置，暴露出漏极96的部分表面。
[0059]步骤4、在所述平坦层60上沉积并图案化连接电极80，使所述连接电极80通过所述接触孔81接触所述TFT90。
[0060]具体的，所述连接电极80的材料为导电性良好的金属，优选钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
[0061]所述连接电极80包括凸出部82、与填充部84 ;所述凸出部82高出所述平坦层60，所述填充部84填充于所述接触孔81内，并接触所述TFT90的漏极96，与所述TFT90的漏极96形成电性连接。
[0062]步骤5、在所述平坦层60上形成覆盖所述连接电极80的阳极70。
[0063]具体的，所述阳极70覆盖所述连接电极80的凸出部82，与连接电极80形成电性连接。至此，所述连接电极80将阳极70与TFT90电性连接在一起。
[0064]所述阳极70为透明的导电膜，如ITO导电膜、IZO导电膜等。
[0065]步骤6、依次在所述阳极70上形成有机发光层71，在所述有机发光层71上形成阴极72。
[0066]具体的，所述有机发光层71通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层。
[0067]至此，完成OLED显不基板的制造。
[0068]通过上述方法制得的OLED显示基板，能够防止阴极72与阳极70之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光；同时改善阳极70与TFT90的漏极96之间的接触阻抗，提尚OLED显不基板的性能。
[0069]综上所述，本发明的OLED显示基板及其制造方法，通过设置连接电极，使阳极通过该连接电极与TFT电性连接，不同于现有技术中阳极通过凹入电极孔与TFT电性连接，避免了位于阳极的凹入部分上的有机发光层极其薄甚至不能形成的情况，从而能够在有机发光层上设置阴极后，防止OLED显示基板上的阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光；同时增加连接电极可改善阳极与TFT漏极之间的接触阻抗，提高OLED显不基板的性能。
[0070]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED显示基板，其特征在于，包括:基板(10)、设于所述基板(10)上的TFT (90)、设于所述TFT (90)上的钝化层(50)、设于所述钝化层(50)上的平坦层(60)、设于所述平坦层￠0)上并接触所述TFT (90)的连接电极(80)、设于所述平坦层￠0)上并覆盖所述连接电极(80)的阳极(70)、设于所述阳极(70)上的有机发光层(71)、及设于所述有机发光层(71)上的阴极(72); 所述连接电极(80)通过贯穿所述平坦层￠0)与钝化层(50)的接触孔(81)接触所述TFT (90)； 所述阳极(70)通过所述连接电极(80)与所述TFT(90)电性连接。
2.如权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述连接电极(80)包括凸出部(82)、与填充部(84);所述凸出部(82)高出所述平坦层(60)，并被所述阳极(70)覆盖，与所述阳极(70)形成电性连接；所述填充部(84)填充于所述接触孔(81)内，并接触所述TFT (90)，与所述TFT (90)形成电性连接。
3.如权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述连接电极(80)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
4.如权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述TFT(90)包括:设于所述基板(10)上的缓冲层(20)、设于所述缓冲层(20)上的包括沟道区(912)、分别设于所述沟道区(912)两侧的源极区(914)与漏极区(916)的半导体层(91)、设于所述半导体层(91)上的栅极绝缘层(30)、于所述沟道区(912)上方设于所述栅极绝缘层(30)上的栅极(94)、设于所述栅极(94)上的层间绝缘层(40)、设于所述源极区(914)上并贯穿栅极绝缘层(30)和层间绝缘层(40)的源极(95)、及设于所述漏极区(916)上并贯穿栅极绝缘层(30)和层间绝缘层(40)的漏极(96) ο
5.如权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，所述接触孔(81)暴露出所述漏极(96)的部分表面，所述连接电极(80)的填充部(84)通过所述接触孔(81)接触所述TFT (90)的漏极(96)，与所述TFT (90)的漏极(96)电性连接。
6.一种OLED显示基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、提供一基板(10)、在所述基板(10)上形成TFT(90); 步骤2、在所述TFT (90)上形成钝化层(50)，在所述钝化层(50)上形成平坦层(60); 步骤3、对所述平坦层￠0)与钝化层(50)进行图案化处理，形成贯穿所述平坦层(60)与钝化层(50)的接触孔(81)； 步骤4、在所述平坦层￠0)上沉积并图案化连接电极(80)，使所述连接电极(80)通过所述接触孔(81)接触所述TFT (90)； 步骤5、在所述平坦层￠0)上形成覆盖所述连接电极(80)的阳极(70); 步骤6、依次在所述阳极(70)上形成有机发光层(71)，在所述有机发光层(71)上形成阴极(72) ο
7.如权利要求6所述的OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述步骤I包括: 步骤11、在所述基板(10)上沉积一层缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上形成包括沟道区(912)、分别设于所述沟道区(912)两侧的源极区(914)与漏极区(916)的半导体层(91)； 步骤12、在所述半导体层(91)上形成栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上形成位于所述沟道区(912)上方的栅极(94)，在所述栅极(94)与栅极绝缘层(30)上沉积层间绝缘膜(40)； 步骤13、对所述层间绝缘膜(40)与栅极绝缘层(30)进行图案化处理，分别在与所述源极区(914)、漏极区(916)相对应的位置形成贯穿所述层间绝缘膜(40)与栅极绝缘层(30)的过孔；再在所述层间绝缘膜(40)上形成源极(95)与漏极(96)，所述源极(95)与漏极(96)分别通过一过孔接触所述源极区(914)、漏极区(916)。
8.如权利要求6所述的OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述连接电极(80)包括凸出部(82)、与填充部(84);所述凸出部(82)高出所述平坦层(60)，并被所述阳极(70)覆盖，与所述阳极(70)形成电性连接；所述填充部(84)填充于所述接触孔(81)内，并接触所述TFT (90)，与所述TFT (90)形成电性连接。
9.如权利要求7所述的OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3中所述接触孔(81)形成在与所述漏极(96)相对应的位置，暴露出漏极(96)的部分表面。
10.如权利要求6所述的OLED显示基板的制造方法，其特征在于，所述连接电极(80)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
【专利摘要】本发明提供一种OLED显示基板及其制造方法。该OLED显示基板包括基板(10)、设于基板(10)上的TFT(90)、设于所述TFT(90)上的钝化层(50)、设于钝化层(50)上的平坦层(60)、设于平坦层(60)上并接触所述TFT(90)的连接电极(80)、设于平坦层(60)上并覆盖所述连接电极(80)的阳极(70)、设于阳极(70)上的有机发光层(71)、及设于有机发光层(71)上的阴极(72)；所述连接电极(80)通过贯穿所述平坦层(60)与钝化层(50)的接触孔(81)接触所述TFT(90)；所述阳极(70)通过所述连接电极(80)与所述TFT(90)电性连接；能够防止OLED显示基板上的阴极与阳极之间短路，避免因短路造成的电流集中，保证OLED正常发光。
【IPC分类】H01L27-32, H01L51-56, H01L51-52
【公开号】CN104538421
【申请号】CN201410782725
【发明人】石龙强, 刘亚伟
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月16日