，仍使混合溶液持续流动，能够防止急速加热器24内的溶液被急剧加热，此外，能够冷却急速加热器24，为下次的溶液循环做好准备。这样做的原因在于，急速加热器24停止加热动作后仍处于蓄热状态，一旦停止液体流通，急速加热器24内残留的溶液有被急剧加热的风险。
[0050]此外，将混合溶液向系统外排出也有降低系统内的卤化物离子含量的目的。如果卤化物离子仍以清洗时的浓度残留下来，在转移到之后的过硫酸生成工序时，会给电解带来障碍。混合溶液排出工序结束后，通过停止送液泵2la、2Ib、2Ic，补充硫酸，能降低卤化物离子浓度。此时，可以将第2循环路径内残留的混合溶液全体排出，或者，也可以在补充规定量的硫酸溶液时设定混合溶液的排出量，以使卤化物离子的浓度总和达到0.02mmol/L以下。
此后，对于下一半导体基板，在补充硫酸溶液后，可以通过重复实时过硫酸生成工序、溶液混合工序、加热和清洗工序、混合溶液排出工序来连续进行半导体基板的清洗。
[0051]另外，上述各实施方式中，虽然将清洗部说明为单片式，但是本发明也可以使用分批式。单片式的清洗部每次清洗I枚或数枚半导体基板，特别举例示出了采用将清洗用溶液喷雾、滴落或流落在半导体基板上的方式。分批式的清洗部可以清洗多枚半导体基板，特别举例示出了采用存储清洗用溶液，将半导体基板以规定时间浸渍于该清洗用溶液中的方式。
[0052]至此，已根据上述实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式的内容，只要不偏离本发明的范围，可以做出适当的变更。
标号说明
[0053]I半导体基板清洗系统 2电解部
3电解侧循环线路 4送液泵 10电解液存储槽 20存储侧循环线路 21a、21b、21c 送液泵 23预加热槽 24急速加热器 25三通阀 26三通阀 30单片式清洗机 31喷嘴
40清洗液运送线路 41排出线路 42排水线路 100半导体基板
【主权项】
1.一种半导体基板的清洗方法， 是对至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗的方法，其特征在于，包括: 过硫酸生成工序，该过硫酸生成工序将硫酸溶液流通至电解部，并使该硫酸溶液循环，通过在所述电解部发生的电解反应，来生成规定浓度的过硫酸； 溶液混合工序，该溶液混合工序将所述过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至所述电解部的状态下进行混合，混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.0Ol?2mol/L的混合溶液； 加热工序，该加热工序对所述混合溶液进行加热；以及 清洗工序，该清洗工序运送加热后的所述混合溶液，使之接触所述半导体基板并进行清洗。
2.如权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 在所述加热工序中，将所述混合溶液的液温加热至80?200°C的沸点以下的温度。
3.如权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 在生成80°C以上的所述混合溶液后的5分钟以内，使该混合溶液接触所述半导体基板。
4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 所述半导体基板具有用于所述硅化处理的金属膜，该金属膜含有白金。
5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 所述混合溶液中的所述卤化物离子的浓度总和为0.2mmol/L?2mol/L。
6.如权利要求1至5的任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 所述硫酸溶液的浓度为所述混合溶液的50?95质量％。
7.如权利要求1至6的任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 将所述加热工序的初期被加热并运送的溶液在不接触所述半导体基板的状态下排出至系统外。
8.如权利要求7所述的清洗方法，其特征在于， 所述加热工序包含一次通过式的加热过程，且所述一次通过式的加热过程在流通溶液的同时开始加热。
9.如权利要求1至8的任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于， 在所述清洗工序后，具有混合溶液排出工序，该混合溶液排出工序将系统内的混合溶液经由加热工序中的线路，且不在所述线路中进行加热就排出至系统外。
10.一种半导体基板的清洗系统，其特征在于，具有: 清洗部，该清洗部利用清洗液来清洗至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板； 电解部，该电解部对硫酸溶液进行电解； 第I循环路径，该第I循环路径向所述电解部流通硫酸溶液，并使硫酸溶液循环； 第2循环路径，该第2循环路径与所述第I循环路径相连，在不将硫酸溶液流通至所述电解部的状态下，使该硫酸溶液循环； 溶液混合部，该溶液混合部将所述第2循环路径内的硫酸溶液与含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液进行混合； 清洗液运送路径，该清洗液运送路径与所述第2循环路径相连，将混合液作为清洗液输送至所述清洗部； 加热部，该加热部设置于所述第2循环路径或所述清洗液运送路径，对所述路径内的溶液进行加热；以及 排出路径，该排出路径将所述第2循环路径或所述清洗液运送路径连接至所述加热部的下流侧位置，使所述混合溶液在未到达所述清洗部的情况下被排出至系统外。
11.如权利要求10所述的半导体基板的清洗系统，其特征在于， 所述第I循环路径和所述第2循环路径能各自单独地或联动地进行溶液循环。
12.如权利要求10或11所述的半导体基板的清洗系统，其特征在于， 具有连接切换部，该连接切换部对所述第2循环路径和所述清洗液运送路径之间的连接及所述第2循环路径和排出路径之间的连接进行切换。
13.如权利要求10至12的任一项所述的半导体基板的清洗系统，其特征在于， 所述电解部以所述混合溶液为基准，生成氧化剂浓度为0.001?2mol/L的过硫酸。
14.如权利要求10至13的任一项所述的半导体基板的清洗系统，其特征在于， 所述溶液混合部以所述混合溶液为基准，生成所述卤化物离子的浓度总和为0.2mmol/L?2mol/L的混合溶液。
15.如权利要求10至14的任一项所述的半导体基板的清洗系统，其特征在于， 所述清洗部为单片式清洗装置。
【专利摘要】实现对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板(100)进行有效的清洗，而不会损伤TiN或硅化层。对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗时，具有以下工序：过硫酸生成工序，该过硫酸生成工序将清洗用硫酸溶液流通至电解部(2)，并使之循环，通过在所述电解部(2)发生的电解反应，生成规定浓度的过硫酸；溶液混合工序，该溶液混合工序将过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至电解部(2)的状态下进行混合，混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.001～2mol/L的混合溶液；加热工序，该加热工序对混合溶液进行加热；以及清洗工序，该清洗工序运送加热后的混合溶液，使之接触半导体基板(100)并进行清洗。
【IPC分类】C23G1-10, H01L21-306, B08B3-08, H01L21-304
【公开号】CN104584198
【申请号】CN201380043869
【发明人】小川祐一, 山川晴义
【申请人】栗田工业株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年8月19日
【公告号】US20150262811, WO2014030616A1