的切割线50的配置预先决定。
[0094] 在第一切削区域51i与第二切削区域51r'之间不挂设切割线50。在图9中，以点 划线表示的切割线50'，如图10所示，如以下说明的那样，为了在与第一切削区域51i和第 二切削区域51r'相邻的部分以外的部位跳过挂切割线50的槽的位置，切割线50'被倾斜 地挂设。
[0095] 图10示意地表示在具有两个切削区域的切割线中卷绕在辊上的切割线50的截 面。由于在第一切削区域51i与第二切削区域51r'之间设置间隔P1，所以在位于间隔Pl 的槽51g中没有挂切割线。这样的切割线的配置，例如在图3所示的多线切割机中能够通 过如下方式实现：卷绕在辊51a的某个槽51gm中的切割线50'，在辊51b上不挂在对应的 槽5Igm中而挂在从棍51b的对应的槽5Igm隔开间隔Pl的槽5Ign中。在这种情况下，在 辊51a与辊51b之间以与间隔Pl对应的宽度倾斜地挂设有切割线50'，由于第一切削区域 51i和第二切削区域51r'不位于在辊51a与辊51b之间拉伸而形成的切割线上，因此坯料 块不会被斜着切断。此外，这样将切割线50倾斜地挂设的方法作为"跳槽"在一般的多线 切割机中能够进行设定。
[0096] 如图9所示，使用切割线50这样卷绕在辊上的切割线，与第一实施方式同样地，通 过使固定用底座14移动，能够不切削坯料块10和坯料块10'的低品质结晶部分10e，而对 坯料块10和坯料块10'的主体部分IOa同时进行切割，能够制造各个单晶碳化硅晶片。在 这种情况下，优选在第一切削区域51i和第二切削区域51r'中，对承接最接近坯料块10、 10'的低品质结晶部分10e、10e'的切割线的切削部分的辊的槽的深度分别进行测定，根据 槽的深度的从初始值产生的变化量d2、d2'管理槽的磨损。
[0097] 根据本实施方式，能够同时对多个坯料块10进行切割，因此能够更缩短单晶碳化 娃晶片的制造时间。
[0098] 在上述实施方式中，与根据挂在辊上的切割线50的配置而决定的间隔Pl相配合 地将坯料块10和坯料块10'固定在固定用底座14上。
[0099] 但是，也可以反之，与坯料块10和坯料块10'的配置相配合地决定切割线50的卷 绕位置。
[0100] 首先，通过与第一实施方式相同的方法，准备两个坯料块10、10'（第一和第二坯 料块）。接着，如图11所示那样将两个坯料块1〇、1〇'固定在固定用底座14上。在这种情 况下，从坯料块10的没有低品质结晶部分IOe的端面IOf至坯料块10'的低品质结晶部分 l〇e'与主体部分10a'的边界为止的距离Ql也可以任意设定。但是，Ql比多线切割机的切 割线的最小卷绕间距（辊的槽51g的间距）长。此外，如果Ql太长则在倾斜地挂设在辊之 间的切割线施加拉力，存在难以以适当的条件进行切削的情况，因此在多线切割机中确定 的恰当的"跳槽"的范围决定Q1。
[0101] 接着，如图12所示，按照以与两个坯料块10、10'的距离Ql-致的间隔P2配置第 一切削区域51i和第二切削区域51r'的方式在辊上卷绕切割线50。为了如上述那样设置 与距离Ql相等的间隔P2,跳过槽来卷绕切割线即可。
[0102] 根据这样的方法也同样能够对多个坯料块10同时进行切割，因此能够更加缩短 单晶碳化娃晶片的制造时间。
[0103] (第三实施方式）
[0104] 以下，说明本发明的利用多线切割机对单晶材料进行切断的切断方法的第三实施 方式。在本实施方式中，两个以上的坯料块的配置方法与第二实施方式不同。
[0105] 首先，利用与第一实施方式相同的方法准备两个坯料块10、10'（第一和第二坯料 块）。
[0106] 接着，将两个坯料块10、10'固定在固定用底座14上。如图13A所示，以坯料块10 的没有低品质结晶部分IOe的端面IOf与坯料块10'的没有低品质结晶部分10e'的端面 IOf'彼此相对的方式配置。设定从坯料块10的主体部分IOa与低品质结晶部分IOe的边 界至坯料块10'的主体部分l〇a'与低品质结晶部分10e'的边界为止的距离成为R1。此 时，端面IOf与端面l〇f'的距离为S1。在本实施方式中，在坯料块10和坯料块10'中，低 品质结晶部分10e、10e'的长度也可以不同。此外，主体部分10a、10a'的长度也可以不同。 距离RUSl如在以下说明的那样根据分别位于多线切割机的第一切削区域51i的两端的切 削部分的间隔决定。
[0107] 接着，对切割坯料块10、10'的步骤进行说明。如图13B所示，在多线切割机中， 切割线50包括具有在辊之间以等间隔平行地拉伸而形成的多个切削部分的第一切削区域 51r〇
[0108] 如图13B所示，第一切削区域51r的在与辊的轴平行的方向上的长度与第一实施 方式同样为L1。即，分别位于第一切削区域51i的两端的切削部分52s与切削部分52e的 间隔为L1。距离Rl设定为该间隔Ll以上（Rl彡LI)。因此，如图13B所示，坯料块10的 低品质结晶部分IOe和坯料块10'的低品质结晶部分l〇e'位于第一切削区域51i的外侧。 如果设定为Rl=Ll，则能够不切下主体部分10a、10a'而获得最多的晶片，能够有效率地进 行切断。此外，如果设定为Rl>L1，则能够将主体部分10a、10a'的一部分留在低品质结 晶部分10e、10e'地切断坯料块10。该被留在低品质结晶部分10e、10e'的主体部分10a、 l〇a'的一部分能够作为各个坯料块10的结晶品质确认用的试验片使用，由此还能够使主 体部分10a、10a'的一部分在生产管理和品质管理中发挥作用。
[0109] 在坯料块10、10'以上述的位置关系固定在固定用底座14上、且被固定用底座支 承的坯料块1〇、1〇'相对于第一切削区域511以上述的位置关系配置的状态下，使固定用底 座14移动，由此能够不切削坯料块10、10'的低品质结晶部分10e、10e'地同时对坯料块 10、10'的主体部分l〇a、10a'进行切割，制造各个单晶碳化硅晶片。
[0110] 如在第一实施方式中说明的那样，优选在进行切割时，在第一切削区域51r中，对 承接最接近坯料块10的低品质结晶部分IOe的切割线的切削部分52s的辊的槽、和承接最 接近坯料块10'的低品质结晶部分l〇e'的切割线的切削部分52e的辊的槽的深度进行测 定并进行管理。承接切削部分52s的辊的槽的深度和承接切削部分52e的辊的槽的深度的 变化量成为中央附近的槽的深度的变化量的三倍以上或二倍以上的情况下，将切割线从该 槽取下，不使用磨损了的槽。
[0111] 图13C表示使用从图13B所示的第一切削区域51r如图13D所示那样从槽取下切 割线50的切削部分52s和切削部分52e(以虚线表示）而构成了新的第一切削区域52i的 多线切割机，继续对坯料块1〇、1〇'进行切割的情况下的坯料块1〇、1〇'的配置。在图中，将 切削部分52s和切削部分52e(以虚线表示）从槽取下，但是也可以根据上述的管理仅从槽 取下一者。
[0112] 以坯料块10的没有低品质结晶部分IOe的端面IOf与坯料块10'的没有低品质 结晶部分l〇e'的端面IOf'彼此相对的方式配置。设定为从坯料块10的主体部分IOa与 低品质结晶部分IOe的边界至坯料块10'的主体部分l〇a'与低品质结晶部分10e'的边界 为止的距离成为R2。端面IOf与端面10f'的距离为S2。R2和S2分别比Rl和Sl短。艮口， 使端面IOf与端面IOf'的距离较小地配置坯料块10、10'。
[0113] 如图13D所示，第一切削区域52i是在取下了切割线50的切削部分52s和切削部 分52e的状态下构成的，与辊的轴平行的方向的长度即分别新位于第一切削区域52i的两 端的切削部分52s'与切削部分52e'的间隔为L2。距离R2设定为该间隔L2以上。在这种 情况下也可以为了获得最多的晶片而设定为R2 =L2。
[0114] 第一切削区域52i的在与辊的轴平行的方向上的长度由于从辊的两端的槽分别 取下切割线50而变短，但是通过使坯料块10与坯料块10'的间隔变短，能够使主体部分 10a、10a'没有多余的部分位于第一切削区域521的外侧地相对于切割线的第一切削区域 52i配置坯料块10、10'。
[0115] 这样，通过在配置有坯料块10、10'的状态下使固定用底座14移动，能够不切削坯 料块10、10'的低品质结晶部分10e、10e'且不会将主体部分10a、10a'切下多余部分，而能 够同时对坯料块10、10'的主体部分10a、10a'进行切割，制造各个单晶碳化硅晶片。
[0116] 之后，在端面IOf与端面10f'的间隔比切割线的切削部分的配置间隔大的情况 下，即使再次从槽取下切割线，也能够通过将坯料块10与坯料块10'的间隔变短，而同时对 坯料块10、10'的主体部分l〇a、10a'进行切割，制造各个单晶碳化硅晶片。
[0117] 本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在第二实施方式中， 将两个坯料块固定在固定用底座上，利用包括具有两个切削区域的切割线的线切割机对坯 料块进行切断，其实也可以固定三个以上的坯料块，利用包括具有以规定的间隔配置的三 个以上的切削区域的切割线的线切割机对坯料块同时进行切断。在这种情况下，切削区域 的两个以上的间隔也可以彼此不同。
[0118] 此外，在上述实施方式中，对承接最接近坯料