一种刻蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀方法。
【背景技术】
[0002]随着薄膜晶体管液晶显不屏(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-1XD)等显示器件的高速发展，对TFT-1XD的各项性能要求越来越高。目前，如图1所示，依次在玻璃基板11上形成栅极12、栅极绝缘层13、ITO(氧化铟锡)层14、半导体层17、源极16、漏极15和光刻胶18，其中，此时源极16和漏极15是完成源漏极层刻蚀工艺后的结构。
[0003]如图2所示，对半导体层17进行刻蚀以形成沟道19时，由于光刻胶18外侧边缘的阻挡，导致等离子体轰击ITO时，部分含铟物质20残留在源极16和漏极15的两侧，从而导致TFT-LCD的品质较差；并且，由于光刻胶18内侧边缘的阻挡，导致对半导体层17进行刻蚀形成的沟道19的宽度小于源极16和漏极15之间的距离，即存在半导体台阶，导致漏电流较高。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种刻蚀方法，用于解决在源极和漏极两侧残留含铟物质，以及源极和漏极之间的沟道宽度较小的问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]一种刻蚀方法，包括:
[0007]在基板上形成栅极、有源层、像素电极层，并刻蚀形成源极和漏极；
[0008]在所述源极和所述漏极上形成光刻胶，并对所述光刻胶进行灰化，以使得灰化后的光刻胶的宽度与所述源极或所述漏极的宽度相等；
[0009]对灰化所述光刻胶时生成的氧化硅进行刻蚀；
[0010]采用干刻蚀工艺刻蚀所述源极和所述漏极之间的半导体层。
[0011]可选地，所述光刻胶包括相互独立的第一光刻胶与第二光刻胶，其中，所述第一光刻胶灰化后的宽度与所述源极的宽度相等，以使得所述第一光刻胶灰化后的结构与所述源极结构的边缘均对齐；所述第二光刻胶灰化后的宽度与所述漏极的宽度相等，以使得所述第二光刻胶灰化后的结构与所述漏极结构的边缘均对齐。
[0012]可选地，灰化所述第一光刻胶的时间根据所述第一光刻胶与所述源极之间未重叠区域的面积确定，灰化所述第二光刻胶的时间根据所述第二光刻胶与所述漏极之间未重叠区域的面积确定。
[0013]具体地，灰化所述光刻胶的气体为O2，或02和SF6的混合气体，源射频功率为100ff?3000W，偏置射频功率为500?1500W，压力为100?300mtorr。
[0014]可选地，所述氧化硅为灰化所述光刻胶时所生成的气体对所述半导体层进行氧化生成。
[0015]具体地，刻蚀所述氧化硅的源射频功率为2000W?4000W，偏置射频功率为2000?4000W，压力为 10 ?lOOmtorr。
[0016]可选地，所述氧化硅被刻蚀的宽度等于所述源极和所述漏极之间的距离，以使得所述氧化硅被刻蚀后的结构的边缘分别与所述源极相对于所述漏极的下边缘和所述漏极相对于所述源极的下边缘对齐。
[0017]具体地，刻蚀所述源极和所述漏极之间的半导体层的气体为He、(:12和混合气体，源射频功率为200W?1000W，偏置射频功率为200W?1000W，压力为100?lOOmtorr。
[0018]可选地，所述半导体层被刻蚀的宽度等于所述源极和所述漏极之间的距离，以使得所述半导体层被刻蚀后的结构的边缘分别与所述源极相对于所述漏极的下边缘和所述漏极相对于所述源极的下边缘对齐。
[0019]进一步地，所述方法还包括:
[0020]剥离所述源极和所述漏极上覆盖的光刻胶。
[0021]本发明提供的刻蚀方法，通过对光刻胶两侧进行灰化，能够实现灰化后的光刻胶的结构与源极结构和漏极结构的边缘均对齐，从而可以避免等离子体轰击ITO时，部分含铟物质残留在源极和漏极的两侧，进而可以提高TFT-LCD的品质；且刻蚀形成的沟道宽度等于源极和漏极之间的距离，从而可以避免半导体台阶，进而降低漏电流。
【附图说明】
[0022]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0023]图1为现有技术中TFT的剖视图；
[0024]图2为图1中形成沟道后的剖视图；
[0025]图3为本发明实施例中刻蚀方法的流程图；
[0026]图4为图1中光刻胶灰化后的剖视图；
[0027]图5为图4中光刻胶灰化前的剖视图；
[0028]图6为图4中刻蚀氧化硅后的剖视图；
[0029]图7为图6中干刻蚀半导体层后的剖视图；
[0030]图8为图7中剥离光刻胶后的剖视图。
[0031]附图标记:
[0032]11-玻璃基板，12-栅极，
[0033]13-栅极绝缘层，14-1T0层，
[0034]15-漏极，16-源极，
[0035]17-半导体层，18-光刻胶，
[0036]19-沟道，20-含铟物质，
[0037]181-第一光刻胶，182-第二光刻胶，
[0038]21-第一未重叠区域，22-第二未重叠区域，
[0039]23-第三未重叠区域，24-第四未重叠区域，
[0040]25-源极下边缘，26-漏极下边缘。
【具体实施方式】
[0041]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0042]本发明实施例提供一种刻蚀方法，可以解决在源极和漏极两侧残留含铟物质，以及源极和漏极之间的沟道宽度较小的问题，如图3所示，所述方法包括:
[0043]301、在基板(例如玻璃基板、石英基板等)上形成栅极、有源层、像素电极层，并刻蚀形成源极和漏极。
[0044]302、在源极和漏极上形成(例如涂覆)光刻胶，并对光刻胶进行灰化，以使得灰化后的光刻胶的结构与源极结构和漏极结构的边缘均对齐。
[0045]可选地，如图4所示，光刻胶18包括相互独立的第一光刻胶181与第二光刻胶182，其中，第一光刻胶181灰化后的宽度与源极16的宽度相等，以使得第一光刻胶181灰化后的结构与源极16结构的边缘均对齐；第二光刻胶182灰化后的宽度与漏极15的宽度相等，以使得第二光刻胶182灰化后的结构与漏极15结构的边缘均对齐。
[0046]可选地，灰化