置100包括第二区域106。根据一些实施例，第二区域106设置在阱区102内。在一个实施例中，第二区域106嵌入阱区102中。在一个实施例中，第二区域106包括第二导电类型。在一些实施例中，第二导电类型包括ρ型。在一些实施例中，第二导电类型包括η型。在一些实施例中，第二导电类型包括ρ+型。在一些实施例中，第二导电类型包括η+型。根据一些实施例，第二区域106包括与第一区域104相反的导电类型。根据一些实施例，第二区域106包括源极区。根据一些实施例，第二区域106包括漏极区。
[0045]在一个实施例中，半导体布置100包括第三区域108。根据一些实施例，第三区域108设置在阱区102内。在一个实施例中，第三区域108嵌入阱区102中。在一个实施例中，第三区域108包括第一导电类型。根据一些实施例，第三区域108包括与第二区域106相反的导电类型。在一些实施例中，如果第二区域106包括P+导电类型，则第一区域104和第三区域108包括N+导电类型。在一些实施例中，如果第二区域106包括N+导电类型，则第一区域104和第三区域108包括P+导电类型。根据一些实施例，第三区域108包括源极区。根据一些实施例，第三区域108包括漏极区。
[0046]根据一些实施例，半导体布置100包括第一栅极绝缘体110、第二栅极绝缘体111、第三栅极绝缘体112、以及第四栅极绝缘体113。在一个实施例中，栅极绝缘体110、111、112、113设置在阱区102之上和其顶部上。例如，诸如通过沉积、外延生长等以多种方式形成栅极绝缘体110、111、112、113。在一些实施例中，栅极绝缘体110、111、112、113包括介电材料。
[0047]根据一些实施例,半导体布置100包括第一栅极120。在一个实施例中,第一栅极120设置在第一栅极绝缘体110上，第一栅极绝缘体110在第一区域104的第一侧122位于阱区102之上。在一个实施例中，通过沉积来形成第一栅极120。在一些实施例中，第一栅极120选择性地提供到达第一区域104的电路径。根据一些实施例，第一栅极120包括导电材料，诸如铝、铜等。在一个实施例中，第一栅极120包括背离阱区102的第一顶面124。
[0048]根据一些实施例，半导体布置100包括第二栅极130。在一个实施例中，第二栅极130设置第二栅极绝缘体111上，第二栅极绝缘体111在第一区域104的第二侧132位于阱区102之上。在一个实施例中，通过沉积来形成第二栅极130。在一些实施例中，第二栅极130选择性地提供介于第一区域104和第二区域106之间的电路径。根据一些实施例，第二栅极130包括导电材料，诸如铝、铜等。在一个实施例中，第二栅极130包括背离阱区102的第二顶面134。
[0049]根据一些实施例,半导体布置100包括第三栅极140。在一个实施例中，第三栅极140设置在第三栅极绝缘体112上，第三栅极绝缘体112在第三区域108的第一侧142位于阱区102之上。在一个实施例中，通过沉积来形成第三栅极140。在一些实施例中，第三栅极140选择性地提供介于第二区域106和第三区域108之间的电路径。根据一些实施例，第三栅极140包括导电材料，诸如铝、铜等。在一个实施例中，第三栅极140包括背离阱区102的第三顶面144。
[0050]根据一些实施例，半导体布置100包括第四栅极150。在一个实施例中，第四栅极150设置在第四栅极绝缘体113上，第四栅极绝缘体113在第三区域108的第二侧152位于阱区102之上。在一个实施例中，通过沉积来形成第四栅极150。在一些实施例中，第四栅极150选择性地提供到达第三区域108的电路径。根据一些实施例，第四栅极150包括导电材料，诸如铝、铜等。在一个实施例中，第四栅极150包括背离阱区102的第四顶面154。
[0051]根据一些实施例，在阱区102、区域104、106、108、以及栅极120、130、140、150上方形成介电层160。例如，诸如通过化学汽相沉积(CVD)、高密度等离子体CVD (HDP-CVD)、或其他合适方法以多种方式来形成介电层160。介电层160包括多种材料，例如包括氧化物、二氧化硅等中的一种或它们的组合。
[0052]根据一些实施例，例如，诸如通过干或湿蚀刻来去除介电层160的一部分，以在介电层160中形成一个或多个开口。在一些实施例中，在第一栅极120上方形成从介电层160的上表面161至第一栅极120的第一顶面124的第一栅极开口 162。在一些实施例中，在第一区域104上方形成从介电层160的上表面161至第一区域104的第一区域开口 164。在一些实施例中，在第二栅极130上方形成从上表面161至第二栅极130的第二顶面134的第二栅极开口 166。在一些实施例中，在第二区域106上方形成从上表面161至第二区域106的第二区域开口 168。在一些实施例中，在第三栅极140上方形成从上表面161至第三栅极140的第三顶面144的第三栅极开口 170。在一些实施例中，在第三区域108上方形成从上表面161至第三区域108的第三区域开口 172。在一些实施例中，在第四栅极150上方形成从上表面161至第四栅极150的第四顶面154的第四栅极开口 174。
[0053]图2示出根据一些实施例在开口 162、164、166、168、170、172、174内形成接触件。在一些实施例中，在第一栅极开口 162内形成第一栅极接触件200。在一个实施例中,第一栅极接触件200设置在第一栅极120之上和顶部上。根据一些实施例，第一栅极接触件200包括朝向阱区102的第一底面202。在一些实施例中，在第二栅极开口 166内形成第二栅极接触件204。在一个实施例中，第二栅极接触件204设置在第二栅极130之上和顶部上。根据一些实施例，第二栅极接触件204包括朝向阱区102的第二底面206。
[0054]在一些实施例中，在第三栅极开口 170内形成第三栅极接触件208。在一个实施例中，第三栅极接触件208设置在第三栅极140之上和顶部上。根据一些实施例，第三栅极接触件208包括朝向阱区102的第三底面210。在一些实施例中，在第四栅极开口 174内形成第四栅极接触件212。在一个实施例中，第四栅极接触件212设置在第四栅极150之上和顶部上。根据一些实施例，第四栅极接触件212包括朝向阱区102的第四底面214。
[0055]在一些实施例中，栅极接触件200、204、208、212包括导电材料。根据一些实施例，栅极接触件200、204、208、212包括钨、铜、铝中的一种或它们的组合。
[0056]在一些实施例中，在第一区域开口 164内形成第一区域接触件250。在一个实施例中，第一区域接触件250设置在第一区域104之上和顶部上。根据一些实施例中，在第二区域开口 168内形成第二区域接触件252。在一个实施例中，第二区域接触件252设置在第二区域106之上和顶部上。根据一些实施例，在第三区域开口 172内形成第三区域接触件254。在一个实施例中，第三区域接触件254设置在第三区域108之上和顶部上。
[0057]在一些实施例中，区域接触件250、252、254包括导电材料。根据一些实施例，区域接触件250、252、254包括钨、铜、铝等中的一种或他们的组合。在一些实施例中，区域接触件250、252、254包括与栅极接触件200、204、208、212相同的材料，而在一些实施例中，区域接触件250、252、254包括与栅极接触件200、204、208、212不同的材料。
[0058]图3是示出根据一些实施例的半导体布置100的平面图。根据一些实施例，如图2所示，介电层160覆盖阱区102、区域104、区域106、区域108、栅极120、栅极130、栅极140、栅极150等的部分。然而，为了说明目的，以更好地示出半导体布置100的部分，图3中未示出介电层160。在一个实施例中，第一栅极120的第一顶面124包括第一顶面积。在一个实施例中，第二栅极130的第二顶面134包括第二顶面积。在一个实施例中，第三栅极140的第三顶面144包括第三顶面积。在一个实施例中，第四栅极150的第四顶面154包括第四顶面积。根据一些实施例，顶面124、134、144、154的顶面积包括栅极长度410与栅极宽度412