导电薄膜、其制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5?5.leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7?6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提闻。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
[0004]一种导电薄膜，包括层叠的D2O3层，D导电层及V2O5层，其中，D2O3层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。
[0005]所述D2O3层的厚度为50nm?150nm,所述D层的厚度为1nm?70nm,所述V2O5层的厚度为Inm?10nm。
[0006]一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0007]将金属D和金属钒靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X10_3Pa?1.0X10_5Pa，金属D为金属招，金属镓或金属铟；
[0008]在所述衬底表面溅镀D2O3层，溅镀所述D2O3层的工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm,溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?35sccm，工作气体为氩气，并通入反应气体氧气，衬底温度为250°C?750°C，沉积速率为I?10nm/s,得到D2O3薄膜基板为二氧化二招，二氧化二嫁或二氧化二铟；
[0009]停止通入氧气，在所述D2O3层表面溅镀D导电层，溅镀所述D导电层的工艺参数为:溅镀速率0.5nm/s?5nm/s，溅射功率为30W?80W，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟；
[0010]然后入氧气，在所述D导电层表面溅镀V2O5层，溅镀所述V2O5层的工艺参数为:溅镀速率0.3nm/s?3nm/s，溅镀功率为20W?60W，
[0011]剥离所述衬底，得到所述层叠的D2O3层，D导电层及V2O5层的导电薄膜。
[0012]所述反应气体氧气占氧气与氩气总摩尔比为1%?15%。
[0013]所述D2O3层的厚度为50nm?150nm,所述D导电层的厚度为1nm?70nm,所述V2O5层的厚度为Inm?10nm。
[0014]一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、D2O3层，D导电层及V2O5层，其中，D2O3层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。
[0015]所述D2O3层的厚度为50nm?150nm,所述D导电层的厚度为1nm?70nm,所述V2O5层的厚度为Inm?10nm。
[0016]一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤:
[0017]将金属D和金属钒靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa?1.0X10_5Pa，，金属D为金属铝，金属镓或金属铟；
[0018]在所述衬底表面溅镀D2O3层，溅镀所述D2O3层的工艺参数为:基靶间距为45mm?95mm,溅射功率为30W?150W，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?35sccm，工作气体为氩气，并通入反应气体氧气，衬底温度为250°C?750°C，沉积速率为I?10nm/s,得到D2O3薄膜基板为二氧化二招，二氧化二嫁或二氧化二铟；
[0019]停止通入氧气，在所述D2O3层表面溅镀D导电层，溅镀所述D导电层的工艺参数为:溅镀速率0.5nm/s?5nm/s，溅射功率为30W?80W，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟；
[0020]然后入氧气，在所述D导电层表面溅镀V2O5层，溅镀所述V2O5层的工艺参数为:溉镀速率0.3nm/s?3nm/s，溅镀功率为20W?60W。
[0021]所述反应气体氧气占氧气与氩气总摩尔比为1%?15%。
[0022]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的D2O3层，D导电层及V2O5层，其中，D2O3层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。
[0023]上述导电薄膜通过在D2O3层的表面沉积D导电层及高功函的V2O5层制备多层导电薄膜，D2O3层既作为缓冲层和匹配层，使导电薄膜的功函数得到了显著的提高并具有较高的透光性，导电薄膜在300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%，方块电阻范围5?30 Ω / □,表面功函数5.3?6.2eV ;上述导电薄膜的制备方法,使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。
【附图说明】
[0024]图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
[0025]图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图；
[0026]图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0027]图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图；
[0028]图5为器件实施例的电压与电流密度和亮度关系图。
【具体实施方式】
[0029]下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
[0030]请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的D2O3层10，D导电层20及V2O5层30，其中，D2O3层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。
[0031]所述D2O3层10的厚度为50nm?150nm，优选为80nm ；
[0032]所述D导电层20的厚度为1nm?70nm,优选为30nm ；
[0033]所述V2O5层30的厚度为Inm?1nm,优选为2nm。
[0034]上述导电薄膜100通过D2O3层10的表面沉积D导电层20及高功函的V2O5层30制备多层导电薄膜100，D203层10既作为缓冲层和匹配层，使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高并具有较高的透光性，导电薄膜在300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%，方块电阻范围5?30Ω/ □，表面功函数5.3?6.2eV。
[0035]上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:
[0036]SI 10、将D2O3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ；
[0037]衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0038]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为6X 10_4Pa。
[0039]步骤S120、在所述衬底表面溅镀D2O3层10，溅镀所述D2O3层10的工艺参数为:基靶间距为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0.2Pa?4Pa，工作气体的流量为1sccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，得到D2O3层10。
[0040]优选的，基靶间距为50mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强1.0Pa,工作气体为氩气，工作气体的流量为20sccm，衬底温度为250°C?750°C°C。
[0041]所述D2O3层10的厚度为50nm?150nm,优选为80nm。
[0042]步骤S130、停止通入氧气，在所述D2O3层10表面溅镀D导电层20，溅镀所述D导电层20的工艺参数为:溅镀速率0.5nm/s?5nm/s，溅射功率为30W?80W，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。
[0043]所述D层20的厚度为1nm?70nm ；
[0044]步骤S140、然后入氧气，在所述D导电层20表面溅镀V2O5层30，溅镀所述V2O5层30的工艺参数为:溅镀速率0.3nm/s?3nm/s，溅镀功率为20W?60W。
[0045]所述V2O5层30的厚度为Inm?10nm。
[0046]步骤S150、剥离衬底，得到导电薄膜100。
[0047]请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的基底200，包括层叠的衬底201、D2O3 B 202, D M 203 及 V2O5 层 204。
[0048]衬底201为玻璃衬底。衬底201的厚度为0.1mm?3.0mm,优选为1mm。
[0049]所述D2O3层202的厚度为50nm?150nm,优选为80nm ；
[0050]所述D层203的厚度为1nm?70nm,优选为30nm ；
[0051]所