封结构的层状结构引起嵌段共聚物的自组装，并且将官能化石墨 烯化学键合到形成层状结构的偶数层或奇数层的均聚物。
[0081] 下面，将参考图4详细地描述根据本发明的包封层400的层状结构。
[0082] 根据本发明的化学键合到官能化石墨烯的嵌段共聚物包括至少一个亲水均聚物 和至少一个疏水均聚物。例如，嵌段共聚物可以是聚苯乙烯和聚氧化乙烯的嵌段共聚物 (PS-b-PEO)、聚苯乙烯和聚二甲硅氧烷的嵌段共聚物（PS-b-PDMS)、聚酰亚胺和聚氧化乙烯 的嵌段共聚物（PI-b-PEO)或其中的两种或更多种的混合物。
[0083] 官能化石墨烯的亲水基化学键合到嵌段共聚物的亲水均聚物。
[0084] 包封层400包括通过官能化石墨烯和亲水均聚物（例如，PEO或PDMS)的化学键合 形成的第一层和包括疏水均聚物（例如，PS或PI)的第二层420。根据本发明的实施方式， 包封层400具有层状结构，其中第一层410和第二层420交替地堆叠至少两次或更多次。
[0085] 根据本发明的通过涂覆或打印液态材料而形成的包封层400具有良好的台阶覆 盖特性，并且因此，构成包封层400的所有第一层410和第二层420能够防止氧/水通过有 机发光显示设备的侧面的渗透并且防止其通过其表面的渗透。由于对于石墨烯本身的良好 的阻挡特性添加了包封层400的良好的台阶覆盖特性，因此，与现有技术相比，根据本发明 的有机发光显示设备具有增强的水/氧切断特性。
[0086] 此外，根据本发明的包封层400包括具有良好的弯曲特性的石墨烯，从而向有机 发光显示设备提供了良好的柔性。
[0087] 如图4中所示，根据本发明的有机发光显示设备可以进一步包括位于有机发光器 件200与包封层400之间的保护层300。保护层300可以由包含A1203、Si0 2、Si3N4、SiON、 A10N、AlN、Ti02、Zr0、Zn0和Ta2O5中的一种或更多种的材料形成。
[0088] 保护层300是用于最小化溶剂（官能化石墨烯和嵌段共聚物的公共溶剂，例如，丙 二醇甲醚醋酸酯（PGMEA)、甲苯等等）的影响的层，该溶剂用于在有机发光器件200的发光 有机层230上形成包封层400。为此，根据本发明的实施方式，保护层300形成在TFT基板 100和有机发光器件200上以整体地覆盖有机发光器件200,从而防止有机发光器件200与 包封层400的直接接触。
[0089] 如图4中所示，根据本发明的实施方式的有机发光显示设备进一步包括位于包封 层400上的偏光器500、前模块700和位于其间的粘合层600。
[0090] 偏光器500用于防止由于来自有机发光显不设备的外部光（由有机发光器件200 反射）的发射引起的可视性的减少，并且防止由有机发光器件200的第二电极240反射的 外部光从有机发光显示设备发射。
[0091] 偏光器500可以包括位于包封层400上的λ/4相差膜以及位于λ/4相差膜上的 线性偏光膜。外部光通过穿过线性偏光膜而改变为线性偏振光。线性偏振光通过λ/4相 差膜，由第二电极240反射，再次通过λ /4相差膜以从而改变为与线性偏光膜的透射轴垂 直的线性偏振光,并且由线性偏光膜吸收。
[0092] 前模块700可以包括触摸膜710和盖窗口 720,并且通过粘合层600粘合到偏光器 500。盖窗口 710可以由玻璃或塑料形成。压敏粘合剂（PSA)、光学胶（OCA)等等可以用于 粘合层600。
[0093] 下面，将参考图7至图13详细描述制造根据本发明的有机发光显示设备的方法。
[0094] 首先，如图7中所示，制备包括TFT 130的基板100a，并且然后，在基板IOOa上形 成有机发光器件200。
[0095] 为了制备基板100a，在玻璃基板101上形成聚酰亚胺膜110。接下来，缓冲层120 由聚酰亚胺膜110上的无机材料形成。
[0096] 半导体层131和电容器下电极141形成在缓冲层120上以彼此分离。半导体层 131可以是非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。
[0097] 栅极绝缘层150形成在其上形成有半导体层131和电容器下电极141的缓冲层 120上。栅极绝缘层150可以由硅氧化物（SiOx)或硅氮化物（SiNx)形成。
[0098] 栅电极132和电容器上电极142形成在栅极绝缘层150上以分别覆盖半导体层 131和电容器下电极141。栅电极132和电容器上电极142可以由Al、Mo、Cr、Au、Ti、Ni、 Cn或其中的两种或更多种的合金。
[0099] 接下来，在其上形成有栅电极132和电容器上电极142的栅极绝缘层150上形成 层间电介质160。层间电介质160可以是有机单层或无机/有机双层。
[0100] 通过选择性地蚀刻层间电介质160和栅极绝缘层150在栅电极132的两侧（栅电 极132位于其间）形成部分地暴露半导体层131的两个通孔。接下来，金属层由Al、Mo、Cr、 Au、Ti、Ni、Cu或其中的两种或更多种的合金形成在层间电介质160上，并且然后通过执行 光刻处理和蚀刻处理来形成源电极133和漏电极134。
[0101] 覆盖层170布置在其上形成有源电极133和漏电极134的层间电介质160上，以 保护TFT 130和电容器140并且对由于TFT 130引起的台阶高度进行平坦化。覆盖层170 可以是有机单层或无机/有机双层。
[0102] 为了在获得的基板IOOa上形成有机发光器件200,通过选择性地蚀刻覆盖层170 来形成部分地暴露漏电极134的孔。接下来，通过CVD或溅射处理来沉积具有高功函数的 诸如ΙΤ0、IZO、ITZO、ICO或ZnO的透明导电材料，并且然后，通过执行光刻处理和蚀刻处理 来形成第一电极210。
[0103] 在制造顶发光型有机发光显示设备时，就在形成第一电极210之前，可以在基板 IOOa上形成由Ag或Ni形成的反射层（未示出）。
[0104] 由有机非导电材料（例如，苯并环丁烯（BCB)、丙烯树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂或 聚酰亚胺树脂）形成的有机绝缘层形成在基板IOOa上并且第一电极210形成在其上，并 且然后，通过执行选择性蚀刻处理来形成部分地暴露第一电极210的至少一部分的环岸层 220。
[0105] 接下来，通过一般的方法，在环岸层220和第一电极210上顺序地形成发光有机层 230、第二电极240和覆盖层250。
[0106] 布置在发光有机层230上的第二电极240可以由具有低功函数的铝（Al)、镁 (Mg)、钙（Ca)、银（Ag)或其合金形成。在制造底发光型有机发光显示设备时，第二电极240 具有足以使得能够反射光的足够的厚度。另一方面，在制造顶发光型有机发光显示设备时， 第二电极240具有使得能够透射光的薄厚度（例如，IA至50A )。
[0107] 用于防止从有机发光有机层230发射的光从第二电极240上方全反射的覆盖层 250形成在第二电极240上。覆盖层250可以具有大约IOnm至IOOnm的厚度。
[0108] 如上所述，覆盖层250可以由导电无机材料和有机材料的混合物形成。导电无机 材料可以使用例如过渡金属、碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的两个或更多个金属的合 金。例如，当纳米银微粒用作导电无机材料时，纳米银微粒和有机材料被分别射出并且然后 沉积在第二电极240上以形成覆盖层250,包括在覆盖层250中的纳米银微粒的含量按重量 可以为10%以下。
[0109] 接下来，如图8中所示，保护层300形成在TFT基板10和有机发光器件20上以 整体地覆盖有机发光器件20。保护层300可以由包含A1 203、Si02、Si3N4、SiON、A10N、A1N、 Ti02、ZrO、ZnO和Ta2O5中的一种或更多种的材料形成。由于在100摄氏度以上的高温下 存在损坏发光有机层230的风险，因此可以通过在80至100摄氏度的低温下执行PECVD或 ALD来执行保护层300。
[0110] 接下来，如图9中所示，包封层400形成在基板IOOa和保护层300上以覆盖保护 层 300。
[0111] 根据本发明的实施方式，形成包封层的操作包括将官能化石墨烯和嵌段共聚物在 公共溶剂中混合以产生混合溶液的操作以及用于在基板IOOa和保护层400上涂敷混合溶 液的操作。
[0112] 可以通过使用产生石墨烯氧化物（GO)的各种已知的方法（例如，作为产生GO的 代表性方法之一的Hummers方法）。
[0113] 根据本发明的实施方式，可以如下地产生官能化石墨烯：
[0114] 1)将膨胀石墨放置在硫酸盐溶液中，并且产生浆体；
[0115] 2)在搅拌浆体的同时逐渐地添加高锰酸钾，并且同时，执行冷却处理以将溶液的 温度保持在20摄氏度以下，以防止由于添加高锰酸钾引起的爆炸；
[0116] 3)在大约35摄氏度下搅拌浆体大约两个小时，并且添加蒸馏水；
[0117] 4)为了从浆体移除金属离子，利用1 :10的盐酸清洗浆体并且进行过滤；
[0118] 5)为了使以该方式获得的膏中性化，重复其中膏被放置在蒸馏水中、搅拌并且过 滤的处理两次或三次；以及
[0119] 6)通过