有机发光二极管显示装置的制造方法
【专利说明】有机发光二极管显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年11月28日提交的韩国专利申请第10_2013_0146277号的优先权的权益，其通过引用并入本文中用于所有目的，如在本文中完全阐述一样。
技术领域
[0003]本公开涉及一种有机发光二极管显示装置。本公开还涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示装置。
【背景技术】
[0004]近来，已开发了平板显示(FPD)技术以制造重量轻并且薄的平板显示器。在各种平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示装置被认为是继液晶显示器(LCD)之后的下一代显示装置。
[0005]由于OLED显示装置不需要背光(与IXD装置不同)，所以与IXD装置相比，OLED显示装置具有更多的应用的优势。具体地，对于透明显示器或柔性显示器而言，OLED显示装置更好。
[0006]OLED显示装置根据发光方向可以分成两种类型:光穿过其上具有驱动电路的基板向下部发射的底部发光型；以及光朝向基板的与其上具有驱动电路的相反的上部发射的顶部发光型。出于获得一种包括柔性显示器的高分辨率OLED显示装置的目的，以及出于提高透明显示器的开口率和透光度的目的，驱动电路对开口率不具有影响的顶部发光型OLED显示装置已成为近来的焦点。
[0007]在OLED显示装置中，下电极的阳极用作像素区中的像素电极，上电极的阴极用作基板的整个表面上方的公共电极。因此，在底部发光型的OLED显示装置中，从有机材料层发射的光穿过阳极，而在顶部发光型OLED显示装置中，从有机材料层发射的光穿过阴极。
[0008]由于阳极一般由透明导电氧化物形成并且阴极一般由金属形成，所以在顶部发光型OLED显示装置中，用于阴极的金属形成为薄膜以提高透射率。
[0009]然而，随着用于阴极的薄膜的厚度减小，阴极的电阻增加并且在图像的中心部分处的亮度降低。此外，随着用于阴极的薄膜的厚度增加，阴极的透射率降低并且发光效率降低。
【发明内容】
[0010]—种有机发光二极管显不装置包括:反射电极和辅助电极；在反射电极和辅助电极上的堤坝层，堤坝层包括分别露出反射电极的一部分和辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；在辅助电极上的隔尚部，隔尚部设置在第二开口部中；与反射电极的通过堤坝层的第一开口部露出的部分接触的像素电极，像素电极设置为与隔离部分离开；在像素电极上的有机发光层，有机发光层被隔离部划分，有机发光层设置为与隔离部分离开；以及在有机发光层上的公共电极，公共电极连接至辅助电极。
[0011]在另一方面中，一种有机发光二极管显示装置包括:像素电极和辅助电极；在像素电极和辅助电极上的堤坝层，堤坝层包括分别露出像素电极的一部分和辅助电极的一部分的第一开口部和第二开口部；与辅助电极接触的隔尚部，隔尚部设置在第二开口部中；在第一开口部处接触像素电极的有机发光层，有机发光层设置为与隔离部分离开；以及在有机发光层上的公共电极，公共电极连接至辅助电极。
[0012]在另一方面中，一种有机发光二极管显示装置包括:像素电极；辅助电极；在像素电极和辅助电极两者上方的堤坝层，堤坝层限定:露出像素电极的一部分的第一开口 ；露出辅助电极的一部分的第二开口 ；接触第一开口中的像素电极的有机发光层；以及在有机发光层上方并且接触第二开口中的辅助电极的公共电极，辅助电极减小公共电极的电阻。
[0013]应该理解前述一般描述和下面的详细描述两者是示例性的和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本实施方案的进一步说明。
【附图说明】
[0014]本申请包括附图以提供对本公开的进一步理解，附图被并入本文中且构成本说明书的一部分，附图示出实施方案并且与描述一起用于说明本公开的原理。在附图中:
[0015]图1是示出根据本公开第一实施方案的顶部发光型有机发光二极管显示装置的截面图。
[0016]图2是示出根据本公开第二实施方案的有机发光二极管显示装置的俯视图。
[0017]图3A至图3D是示出制造根据本公开第一实施方案的发光二极管显示装置的方法的截面图。
[0018]图4是示出根据本公开第二实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
[0019]图5是示出根据本公开第三实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
[0020]图6是示出根据本公开第四实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
[0021]图7是示出根据本公开第五实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
[0022]图8是示出根据本公开第六实施方案的有机发光二极管显示装置的截面图。
[0023]图9A和图9B是示出根据本公开第二实施方案至第六实施方案中的每一个的有机发光二极管显示装置的俯视图。
【具体实施方式】
[0024]现在将详细参照在附图中示出其实例的优选实施方案。
[0025]图1是示出根据本公开第一实施方案的顶部发光型有机发光二极管显示装置的截面图。
[0026]在图1中，顶部发光型有机发光二极管(OLED)显示装置包括:基板110、开关晶体管STR、驱动晶体管DTR、平坦化层120、反射电极131、辅助电极132、隔离部150、像素电极160、有机发光层170以及公共电极180。
[0027]基板110可以包括玻璃、金属以及塑料中之一。此外，基板110可以包括柔性材料，例如聚醚楓(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)以及乙酸丙酸纤维素(CAP)。
[0028]在基板110上形成有开关晶体管STR和驱动晶体管DTR。开关晶体管STR包括:连接至栅极线(未示出)的栅电极(未示出)、连接至数据线(未示出)的源电极(未示出)、以及漏电极。将栅极线的栅极信号施加至开关晶体管STR的栅电极以使开关晶体管STR导通。当通过栅极信号使开关晶体管STR导通时，数据线的数据信号从开关晶体管STR的源电极传输至漏电极。此外，开关晶体管STR的漏电极的数据信号传输至驱动晶体管DTR的栅电极(未示出)。驱动晶体管DTR根据数据信号通过驱动晶体管DTR的漏电极(未示出)将电源电压的高电位电压Vdd和电源电压的低电位电压Vss中之一传输至反射电极131。
[0029]高电位电压Vdd可称为漏极电压，低电位电压Vss可称为源极电压。由于漏极和源极的名称根据晶体管的种类和驱动方法而变，所以可以将具有相对较高的电压的漏极电压称为高电位电压Vdd，将具有相对较低的电压的源极电压称为低电位电压Vss。
[0030]在开关晶体管STR和驱动晶体管DTR上形成有平坦化层120。平坦化层120使开关晶体管STR和驱动晶体管DTR的不平坦性平坦化，以提高平坦化层120上的有机发光二极管的结构稳定性。
[0031]此外，平坦化层120可以包括有机材料:例如，丙烯酸类树脂(例如聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、光亚克力以及苯并环丁烯(BCB)。
[0032]可以在开关晶体管STR、驱动晶体管DTR与平坦化层120之间形成无机材料(例如硅氧化物(S1x)和硅氮化物(SiNx))的钝化层(未示出)。
[0033]反射电极131和辅助电极132在平坦化层120上形成并且彼此间隔开。反射电极131连接至驱动晶体管DTR，并且电源电压的低电位电压Vss根据数据信号通过驱动晶体管DTR供给至反射电极131。反射电极131将低电位电压Vss传输至像素电极160。
[0034]反射电极131可以将从有机发光层170发射的光朝向公共电极180反射以由于光量增加而使亮度提高。此外，反射电极131可以与公共电极180形成为具有微腔结构以由于反射电极131与公共电极180之间的光的放大而使亮度进一步提高。
[0035]反射电极131可以包括具有相对高的反射率的材料例如金属材料用于将从有机发光层170发射的光反射。例如，反射电极131可以包括钼(Mo)、销(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)、以及具有上述至少之一的合金的至少之一。此外，反射电极131可以具有单个层或多个层。
[0036]辅助电极132与反射电极131可以是共面的。此外，辅助电极132可以与反射电极131 —起形成以具有与用于反射电极131的材料至少之一相同的材料。辅助电极132连接至公共电极180以减小公共电极180的电阻。
[0037]由于辅助电极132连接至公共电极180，所以辅助电极132具有与公共电极180相同的电压。当公共电极180为阴极时，可以将低电位电压Vss供给至辅助电极132。此外，当公共电极180为阳极时，可以将高电位电压Vdd供给至辅助电极132。在图1的第一实施方案中，由于公共电极180用作阳极，所以高电位电压Vdd供给至辅助电极132，并且辅助电极132连接至公共电极180以减小公共电极180的电阻。
[0038]在反射电极131和辅助电极132上形成有堤坝层140。堤坝层140与反射电极131和辅助电极132的每一个的边缘部交叠并且覆盖反射电极131和辅助电极132的每一个的边缘部，以具有露出反射电极131和辅助电极132的开口部。在通过开口部露出的反射电极131上和在堤坝层140上依次形成有像素电极160和有机发光层