阵列基板及其制备方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
[0003]图1为现有的OLED显示装置中阵列基板的截面示意图，如图1所示，该阵列基板包括:玻璃基板(折射率η约为1.5)和设置于玻璃基板上方的电致发光器件，其中电致发光器件包括:由下至上依次层叠的阳极、电致发光层和阴极，其中，阳极和阴极的材料为透明导电氧化物(折射率η约为2.0)，电致发光层的材料为有机电致发光材料(折射率η约为1.7)，电致发光层在阳极和阴极的作用下发出一定颜色的光，电致发光层产生的光线依次通过阳极和衬底基板以射入人眼。
[0004]然而，在光线由电致发光层射入至人眼的过程中，由于阳极的折射率大于玻璃基板的折射率，玻璃基板的折射率大于空气的折射率，因此部分光线会在阳极与玻璃基板之间的界面、玻璃基板与空气之间的界面发生全反射，从而导致从玻璃基板折射出的光线较少，即显示装置的出光效率较低。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，可有效的提升显示装置的出光效率。
[0006]为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括:衬底基板和设置于衬底基板上方的电致发光器件，所述衬底基板和所述电致发光器件之间形成有添加层，所述添加层与所述电致发光器件接触的表面形成有若干个突起，所述添加层的折射率小于或等于所述衬底基板的折射率，所述电致发光器件产生的光线依次穿过所述添加层和所述衬底基板而射出。
[0007]可选地，所述突起的形状为锥形。
[0008]可选地，所述衬底基板为玻璃基板；
[0009]所述添加层的材料为萤石、钠沸石和钠长石中的至少一种。
[0010]可选地，所述电致发光器件包括:由下至上依次层叠的阳极、电致发光层和阴极。
[0011]可选地，所述电致发光器件还包括:电子传输层和空穴传输层；
[0012]所述电子传输层位于所述阴极和所述电致发光层之间，所述空穴传输层位于所述阳极和所述电致发光层之间。
[0013]可选地，所述电致发光器件还包括:电子与激子阻挡层和空穴与激子阻挡层；
[0014]所述电子与激子阻挡层设置在所述空穴传输层和电致发光层之间，所述空穴与激子阻挡层设置在所述电子传输层和所述电致发光层之间。
[0015]可选地，还包括:设置于所述添加层和所述衬底基板之间的薄膜晶体管，所述添加层上对应所述薄膜晶体管的漏极的区域形成有过孔，所述电致发光器件的阳极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
[0016]为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括:阵列基板，该阵列基板采用上述的阵列基板。
[0017]为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括:
[0018]在所述衬底基板的上方形成添加层，所述添加层背向所述衬底基板的表面形成有若干个突起，添加层的折射率小于或等于所述衬底基板的折射率；
[0019]在所述添加层的上方形成电致发光器件，所述电致发光器件产生的光线依次穿过所述添加层和所述衬底基板而射出。
[0020]可选地，所述在所述衬底基板的上方形成添加层的步骤包括:
[0021]在所述衬底基板的上方沉积一层添加层薄膜；
[0022]对所述添加层薄膜进行表面处理，以形成若干个突起。
[0023]可选地，所述电致发光器件包括:由下至上依次层叠的阳极、电致发光层和阴极；
[0024]所述在所述添加层的上方形成电致发光器件的步骤包括:
[0025]在所述添加层的上方形成阳极；
[0026]通过喷墨方法在所述阳极的上方形成电致发光材料溶液；
[0027]对所述电致发光材料溶液进行干燥处理以形成所述电致发光层；
[0028]在所述电致发光层的上方形成阴极。
[0029]可选地，所述在所述衬底基板的上方形成添加层的步骤之前还包括:
[0030]在所述衬底基板的上方形成薄膜晶体管；
[0031]所述在所述衬底基板的上方形成添加层的步骤之后还包括:
[0032]在所述添加层上对应所述薄膜晶体管的漏极的区域形成过孔。
[0033]本发明具有以下有益效果:
[0034]本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其中该阵列基板包括:衬底基板和设置于衬底上方的电致发光器件，衬底基板和电致发光器件之间形成有添加层，添加层与电致发光器件接触的表面形成有若干个突起，添加层的折射率小于或等于衬底基板的折射率，电致发光器件产生的光线依次穿过添加层和衬底基板而射出。本发明的技术方案通过在衬底基板和电致发光器件之间设置添加层，可有效的提升从电致发光器件“折射”至衬底基板内的光线总量，从而可有效的提升显示装置的出光效率。
【附图说明】
[0035]图1为现有的OLED显示装置中阵列基板的截面示意图；
[0036]图2为本发明实施例一提供的阵列基板的截面示意图；
[0037]图3为光线从阳极依次穿过添加层和衬底基板的光路图；
[0038]图4为本发明实施例二提供的阵列基板的截面示意图；
[0039]图5为本发明实施例四提供的阵列基板的制备方法的流程图；
[0040]图6为本发明实施例五提供的阵列基板的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0041]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的阵列基板及其制备方法和显示装置进行详细描述。
[0042]图2为本发明实施例一提供的阵列基板的截面示意图，如图2所示，该阵列基板包括:衬底基板I和设置于衬底上方的电致发光器件2，衬底基板I和电致发光器件2之间形成有添加层6，添加层6与电致发光器件2接触的表面形成有若干个突起7，添加层6的折射率小于或等于衬底基板I的折射率，电致发光器件2产生的光线依次穿过添加层6和衬底基板I而射出。
[0043]其中，电致发光器件2包括:由下至上依次层叠在衬底基板I上方的阳极3、电致发光层4和阴极5。
[0044]下面将结合附图对本发明的发明原理进行详细的描述。需要说明的是，下面突起7的形状为锥形为例进行描述，相应地添加层6与阳极3之间的接触面的截面轮廓为锯齿形。
[0045]图3为光线从阳极依次穿过添加层和衬底基板的光路图，如图3所示，由于添加层6与阳极3接触的表面形成有若干个突起7，因此添加层6与阳极3之间的界面为不平整的接触面。此时，虽然阳极3的折射率大于添加层6的折射率，但是由于添加层6与阳极3之间的界面不平整，会使得大部分的光线通过在添加层6与阳极3的界面之间发生I次(如图3)或多次全反射(未给出相应附图)之后，最终折射至添加层6中。与此同时，由于添加层6的折射率小于或等于衬底基板I的折射率，因此在添加层6与衬底基板I之间的界面不会发生全反射，所以添加层6中的绝大多数光线会折射至衬底基板I中。
[0046]由上述内容可见，本实施例中添加层6上突起7的设置可有效的提高光线从阳极3折射至添加层6的概率；与此同时，将添加层6的折射率设置的小于衬底基板I的折射率，可有效保证光线从添加层6折射至衬底基板I中。
[0047]本发明的技术方案通过在衬底基板I和电致发光器件2之间设置上述添加层6，可有效的提升从电致发光器件2 “折射”至衬底基板I内的光线总量，从而可有效的提升显示装置的出光效率。
[0048]需要说明的是，图3中突起7的形状为锥形的情况为本发明的一种优选实施方式，这并不会对本申请的技术方案产生限制。本领域的技术人员应该知晓的是，本实施例中突起7的形状还可以台形、柱形等其他形状，此处不再一一列举。
[0049]可选地，衬底基板I为玻璃基板(折射率η约为1.500)，添加层6的材料可以为萤石(折射率η约为1.434)、钠沸石(折射率η约为1.480)和钠长石(折射率η约为1.489)中的至少一种。
[0050]需要说明的是，本实施例中在制备电致发光层时，可采用先喷墨后干燥的工艺进行制备，此时制备出的电致发光层的上表面为平整表面，此时可方便后序工艺的进行。
[0051]图4为本发明实施例二提供的阵列基板的截面示意图，如图4所示，与上述实施例一相比，本实施例中还包括:设置于添加层6和衬底基板I之间的薄膜晶体管8，添加层6上对应薄膜晶体管8的漏极的区域形成有过孔13，电致发光器件2的阳极3通过过孔13与薄膜晶体管8的漏极连接，薄膜晶体管8用于向电致发光器件2的阳极3输送像素电压，以使得电致发光层4产生一定灰阶的亮度。
[0052]可选地，本实施例中的电致发光器件2除了包括阳极3、电致发光层4和阴极5之夕卜，还包括:电子传输层12和空穴传输层9，其中，电子传输层12位于阴极5和电致发光层4之间，用于传输电子，空穴传输层9位于阳极3和电致发光层4之间，用于传输空穴。电子传输层12和空穴传输层9可以确保注入的电子和空穴